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vasp计算的半导体结构,bands带隙比dos里面的大,何故?
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haowenping
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vasp计算的半导体结构,bands带隙比dos里面的大,何故?
各位大仙,本人在计算半导体结构的时候,为何bands里面的带隙比dos里面的大一些?感觉明显的对应不上。
在计算SCF的时候,ISMEAR=0,SIGMA=0.01,bands的时候,ISMEAR=0,SIGMA=0.01,DOS计算时候ISMEAR=0,SIGMA=0.01.计算结束,scf里面的费米能级是-2.1285,bands里面的费米能级是-2.2053,dos里面的费米能级是-2.1273。
计算scf的时候K点选取为:4x4x2,dos计算时候K点选取为12x12x2。
下面是对应不上的图片:
希望大家多多帮忙。
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1楼
2011-11-22 10:34:49
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haowenping(金币+3): 谢谢贺仪版主,一直以来都能给我帮助~ 2011-11-23 09:23:53
ISMEAR=-5 或者减小你的sigma
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9楼
2011-11-23 09:13:07
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★ ★
mazuju028(金币+2): 谢谢交流 2011-11-23 11:07:37
haowenping(金币+2): 再次谢谢贺仪版主! 2011-11-23 15:08:22
引用回帖:
11楼
:
Originally posted by
haowenping
at 2011-11-23 09:28:06:
只是我不明白为什么要减小我的SIGMA?难道不是SIGMA取得越小越好吗?当我取SIGMA=0.01的时候,我的EENTRO 很小,接近于零了。只是当SIGMA取得小得时候,不容易收敛,可是我的体系能够收敛。难道不是我这样理解的 ...
sigma变小后要求把k点密度加大。
如果k点不加大就容易造成很难收敛。
你自己试几次就知道,sigma小的dos细节比较清楚,sigma变大后dos都被‘平滑了’,具体的自己试验看看相关理论
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12楼
2011-11-23 09:43:26
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★
uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-11-24 10:33:03
haowenping(金币+3): 感谢至极~ 2011-11-24 10:38:20
引用回帖:
13楼
:
Originally posted by
haowenping
at 2011-11-23 15:10:21:
我用SIGMA=0.01已经收敛了,是不是就说明我不需要增加SIGMA?你给的建议是不是在难以收敛的情况才增大的?仍然期待大家的好的建议。在此谢过~
看了后面的回帖,NEDOS=1000,3000.都是很正常的,你可以试试加大。
对于你的计算已经说得差不多了,就是使用ISMEAR=-5或者减小SIGMA,0.01是比较小,但是你可以再减小,把你的k点加大点,如果不加大,只要收敛也行但是结果可靠行可能不好
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22楼
2011-11-24 10:30:56
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