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haowenping

木虫 (著名写手)

[求助] vasp计算的半导体结构,bands带隙比dos里面的大,何故?

各位大仙,本人在计算半导体结构的时候,为何bands里面的带隙比dos里面的大一些?感觉明显的对应不上。
在计算SCF的时候,ISMEAR=0,SIGMA=0.01,bands的时候,ISMEAR=0,SIGMA=0.01,DOS计算时候ISMEAR=0,SIGMA=0.01.计算结束,scf里面的费米能级是-2.1285,bands里面的费米能级是-2.2053,dos里面的费米能级是-2.1273。
计算scf的时候K点选取为:4x4x2,dos计算时候K点选取为12x12x2。
下面是对应不上的图片:
希望大家多多帮忙。
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人有多大胆,地有多大产!
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lastfreedom

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


haowenping(金币+3): 谢谢~ 2011-11-22 18:49:27
贺仪(金币+1): 多谢指教! 2011-11-23 09:13:31
是不是ISMEAR的原因? 体系不大的话算DOS用ISMEAR = -5比较合适吧,请指教~
3楼2011-11-22 15:04:16
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主


uuv2010(金币+1): 欢迎参加交流 2011-11-24 10:32:02
差别在0.1eV以下是正常的。

你的结果很好~

但是图左右对不上,不知道怎么回事~

[ Last edited by cenwanglai on 2011-11-22 at 11:10 ]
2楼2011-11-22 11:08:37
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ApolloYang

木虫 (正式写手)

引用回帖:
1楼: Originally posted by haowenping at 2011-11-22 10:34:49:
各位大仙,本人在计算半导体结构的时候,为何bands里面的带隙比dos里面的大一些?感觉明显的对应不上。
在计算SCF的时候,ISMEAR=0,SIGMA=0.01,bands的时候,ISMEAR=0,SIGMA=0.01,DOS计算时候ISMEAR=0,SIGM ...

借问楼主这个band和dos画在一起是怎么弄的?  我以前用p4v现在貌似弄不成了
4楼2011-11-22 15:29:11
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haowenping

木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by cenwanglai at 2011-11-22 11:08:37:
差别在0.1eV以下是正常的。

你的结果很好~

但是图左右对不上,不知道怎么回事~
[ Last edited by cenwanglai on 2011-11-22 at 11:10 ]

谢谢指教,从origin里面看,用踩点的方法来看,能带的带隙有0.3125,而dos里面的只有0.142,差别比较大了。还有你说的左右对不上是什么意思呢?
人有多大胆,地有多大产!
5楼2011-11-22 18:45:45
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