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某个激发态的垂直绝热的电离势
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lilier
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某个激发态的垂直绝热的电离势
一个阳离子的激发态的绝热(AIP)垂直电离势(VIP)怎么计算?我对它们的计算很模糊,另外,阴离子的激发态绝热(ADE)和垂直吸附能(VDE)也很模糊,请高手们给予帮助,感激不尽!
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1楼
2011-10-13 09:31:57
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2楼
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Originally posted by
wangth0921
at 2011-10-13 12:20:04:
AIP = E(阳离子,优化结构) - E(中性分子,优化结构)
VIP = E(阳离子,优化中性分子结构) - E(中性分子,优化结构)
ADE = E(中性分子,优化结构) - E(阴离子,优化结构)
VDE = E(中性分子,优化中性分子结构) ...
谢谢,不过我还是有点模糊,AIP = E(阳离子,优化结构)- E(中性分子,优化结构),这里面的E(阳离子,优化结构)是阳离子某个已优化激发态的能量吗?E(中性分子,优化结构)是中性分子已优化基态的能量吗?
我不明白的是这里哪些是用基态结构?哪些是激发态的结构?能给我再说的详细点吗?
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努力为明天
3楼
2011-10-13 15:48:58
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5楼
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Originally posted by
quantumor
at 2011-10-14 08:38:09:
激发态本身就是基态的电子被激发上来后形成的状态,楼主为什么还要计算激发态的电离势呢?——这等于是激发后的再激发过程。况且,单纯的激发态的计算已是比较困难的事了。
先谢谢您,激发态构型我已经优化好了,就是碰到AIP,VIP这些我特别模糊,我怕算错了,再整不清楚就毕不了业了!
有好多算激发态的AIP,VIP的,但是我不是很明白,请指点一下,谢谢您了!
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6楼
2011-10-14 09:12:03
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4楼
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Originally posted by
wangth0921
at 2011-10-13 21:43:52:
是的,E(阳离子,优化结构)是阳离子某个已进行结构优化的激发态的能量。
不过激发态的结构优化很麻烦,Gaussian可用CAS方法,TDDFT和CIS都不行。
首先谢谢您,那E(中性分子,优化结构), E(阳离子,优化中性分子结构)都是中性分子已优化基态的能量吗?算垂直都是用基态的几何构型吗?算VIP和VDE时,构型都是基态的结构吗?
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7楼
2011-10-14 09:19:33
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8楼
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Originally posted by
wangth0921
at 2011-10-14 13:28:46:
所谓“垂直”,是指在电离过程中除了少了个电子外,分子的结构不变;而所谓绝热,是指从中性分子平衡结构态到离子平衡结构间的能量差。Electron Detachment过程也一样。
如CO,中性CO分子和离子CO+都可以画出势 ...
你好,
我还得打扰一下,AIP2 = E(CO+第一激发态,0.13nm) - E(CO, 0.12nm) (离子激发态)这里面的 E(CO, 0.12nm) (离子激发态)应该按照0.12nm,还是(离子激发态)来算?
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9楼
2011-10-17 10:00:23
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10楼
:
Originally posted by
wangth0921
at 2011-10-17 16:29:50:
明确一下:
AIP2 = E(CO+第一激发态,取0.15nm平衡键长) - E(CO中性基态, 0.12nm)
AIP2 = E(CO+基态,取0.14nm平衡键长) - E(CO中性基态, 0.12nm)
VIP = E(CO+离子态,取中性键长0.12nm) - E(CO中性 ...
太谢谢你啦,我想我这次应该是真的懂了!
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wangth0921
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11楼
2011-10-18 08:14:03
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