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月夜1546

金虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 132.3
红花: 1
帖子: 217
在线: 99.6小时
虫号: 1339704
注册: 2011-07-07
性别: GG
专业: 光学

[求助] 硅深度刻蚀

我想用湿法刻蚀方法（KOH刻蚀液）对P型（100）硅做深度刻蚀。深度大约是在250微米左右。请问各位，只在硅表面用热氧生长一层SiO2作为掩膜层抗腐蚀。这样做能刻蚀这么深吗？

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1楼 2011-08-11 16:25:32

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hyliu0203

木虫 (正式写手)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 1676.3
散金: 20
红花: 20
帖子: 634
在线: 385.8小时
虫号: 437786
注册: 2007-09-06
专业: 金属材料的力学行为

线宽多少，pitch多少；向这种等相性蚀刻的侧向蚀刻能否接受！！？

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3楼2013-03-01 16:52:14

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400

应助: 34 (小学生)
金币: 1672.3
散金: 204
红花: 18
帖子: 1055
在线: 570.9小时
虫号: 478681
注册: 2007-12-14
性别: GG
专业: 半导体电子器件

【答案】应助回帖

月夜1546(金币+5): 2011-08-12 08:53:37

可以的，但是要注意晶向

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2楼2011-08-12 01:47:38

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月夜1546

[求助] 硅 深度刻蚀

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hyliu0203

quanten

【答案】应助回帖

[求助] 硅深度刻蚀