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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 硅 深度刻蚀
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月夜1546

金虫 (小有名气)

[求助] 硅 深度刻蚀

我想用湿法刻蚀方法（KOH刻蚀液）对P型（100）硅做深度刻蚀。深度大约是在250微米左右。请问各位，只在硅表面用热氧生长一层SiO2作为掩膜层抗腐蚀。这样做能刻蚀这么深吗？
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1楼 2011-08-11 16:25:32
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400

【答案】应助回帖

月夜1546(金币+5): 2011-08-12 08:53:37
可以的，但是要注意晶向
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2楼2011-08-12 01:47:38
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hyliu0203

木虫 (正式写手)
线宽多少，pitch多少；向这种等相性蚀刻的侧向蚀刻能否接受！！？
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3楼2013-03-01 16:52:14
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