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磁控溅射TiN沉积失败
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磁控溅射TiN沉积失败
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用的TiN靶,射频磁控溅射,纯氩气,压强在3—4Pa,功率从50—100W都有尝试。能起辉,辉光紫红色,但是总是沉积不上,硅片上无任何东西,样品托盘也无变化。溅射后靶材略有发黑。有时候功率高了靶材会发烫。请各位大佬指点一下,可能有哪些因素在影响?应该怎么调参数才合适?
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溅射一般是反应的Ti和氮气反应
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2楼
:
Originally posted by
MEMSlee
at 2021-03-05 00:13:29
溅射一般是反应的Ti和氮气反应
直接用TiN靶材不可以吗?
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Originally posted by
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at 2021-03-05 08:40:17
调试工艺
也尝试调过功率和压强,都没有什么变化,不太清楚是否还有其他因素影响。
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2021-03-05 09:30:53
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TiN靶材什么样子呢?可以发张照片么
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擅长薄膜材料工艺,欢迎交流captain0119
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2021-03-08 10:52:12
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用TI靶和氮气。TIN维氏硬度都1800以上了你还沉积什么呀
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2021-04-20 14:10:30
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【答案】应助回帖
头一次听说用射频做氮化钛的,你用金属钛靶加中频做不好,如果只有一个靶的话用脉冲电源做也可以
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10楼
2021-04-20 15:14:14
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