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liqianliwi木虫 (职业作家)
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[求助]
磁控溅射法制备ZnO薄膜的过程中通入氢气有哪些需要注意的？已有1人参与
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如题：利用磁控溅射法制备ZnO薄膜，靶材是ZnO靶，基底温度在300~500度，通入两路气体：一路高纯氩，一路氢氩混合气（氢气10%）。 类似的薄膜制备实验有虫友做过吗，主要是在磁控溅射镀膜中引入氢气？ 整个镀膜过程有哪些需要注意的？ 怎样提高安全性？ 金币很多，请踊跃解答，谢谢！！！  |
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 薄膜制备与特性 | 磁控溅射镀膜工艺 |
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
liqianliwi: 金币+50, ★★★★★最佳答案 2018-03-19 12:44:32
感谢参与，应助指数 +1
liqianliwi: 金币+50, ★★★★★最佳答案 2018-03-19 12:44:32
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利用磁控溅射法通，氢氩混合气（氢气10%）。 安全性方面： 1. 真空腔内，由于工艺过程中气压也就在mTorr范围内，气压很低，不存在特别的安全隐患 2. 真空腔外，由于氢气无色无味，不容易察觉。气瓶、通气管路要保证密封（检漏）；排气口附近通风一定要好或将废气引出实验室外，另附近也不要有明火明电的暴露 工艺方面： 1. 镀膜前、后都尽量将真空度抽的低一点 一方面排除氧的影响，另一方面现有的真空抽气系统对氢气小分子都比较头疼，抽气速率相对慢很多。 2. 工艺过程中，由于H2的抽速降低，可能腔体内氢气会堆积。多关注气压和通气量的变化（看你气压控制是upstream还是downstream模式），来控制工艺的一致性。 以上，请参考。 |
8楼2018-03-19 11:36:42
9楼2018-03-19 11:38:17
12楼2018-03-19 13:10:09
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