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liqianliwi

木虫 (职业作家)

[求助] 磁控溅射法制备ZnO薄膜的过程中通入氢气有哪些需要注意的? 已有1人参与

如题:利用磁控溅射法制备ZnO薄膜,靶材是ZnO靶,基底温度在300~500度,通入两路气体:一路高纯氩,一路氢氩混合气(氢气10%)。

类似的薄膜制备实验有虫友做过吗,主要是在磁控溅射镀膜中引入氢气?

整个镀膜过程有哪些需要注意的?

怎样提高安全性?

金币很多,请踊跃解答,谢谢!!!

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野人禾禾

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

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感谢参与,应助指数 +1
liqianliwi: 金币+50, ★★★★★最佳答案 2018-03-19 12:44:32
利用磁控溅射法通,氢氩混合气(氢气10%)。
安全性方面:
1. 真空腔内,由于工艺过程中气压也就在mTorr范围内,气压很低,不存在特别的安全隐患
2. 真空腔外,由于氢气无色无味,不容易察觉。气瓶、通气管路要保证密封(检漏);排气口附近通风一定要好或将废气引出实验室外,另附近也不要有明火明电的暴露

工艺方面:
1. 镀膜前、后都尽量将真空度抽的低一点
一方面排除氧的影响,另一方面现有的真空抽气系统对氢气小分子都比较头疼,抽气速率相对慢很多。
2. 工艺过程中,由于H2的抽速降低,可能腔体内氢气会堆积。多关注气压和通气量的变化(看你气压控制是upstream还是downstream模式),来控制工艺的一致性。

以上,请参考。
擅长薄膜材料工艺,欢迎交流captain0119
8楼2018-03-19 11:36:42
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ytusnow

新虫 (小有名气)

2楼2018-03-18 08:50:00
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liqianliwi

木虫 (职业作家)

引用回帖:
2楼: Originally posted by ytusnow at 2018-03-18 08:50:00
为什么要通H2

ZnO中掺杂H可以改变其发光性能

发自小木虫Android客户端
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3楼2018-03-18 08:54:35
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stage辉辉

新虫 (正式写手)

我有知道用mocvd生长zno薄膜。没用磁控溅射整过。你溅射多厚?

发自小木虫Android客户端
4楼2018-03-18 10:17:47
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