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偶然556

新虫 (正式写手)

[交流] 求光刻胶的大神 已有9人参与

我是买的SU-8光刻胶干膜,然后把它贴在铜基底上,做一个30μm、深宽比为3.3:1左右的凹槽,一个基底上开了12个凹槽,等间距的。
固化工艺是:
前烘92°,2min;
曝光40s(100μm厚);
后烘:65°,5min;95°,10min;
但是一直显影失败,显影的的时候那些槽壁会慢慢变弯曲成波浪形,最终全显影掉。试过不同的显影时间都是这个情况。现在不知道什么原因了,求大神帮忙分析分析。
本人和导师都是第一次接触这个完全不懂,出现问题也不知道找谁交流,只能上这来求助了
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weilingdun

木虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
直接用UV替代即可
3楼2017-06-02 19:28:19
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偶然556

新虫 (正式写手)

引用回帖:
5楼: Originally posted by 科研小菜鸟 at 2017-06-20 08:53:51
做negative photoresist会有这种情况,就是pattern collapse, SU-8可以加工到小于30nm,显影液最好暂时不要调控,可以试试development时间控制,如果太长高分子会溶胀导致上诉情况产生...

我现在深宽比是3.3左右,显影的时候就是还没显透槽壁就已经歪了,然后显影不同时间都试过了,还是一样的情况。上面说错了,应该是不知道壁厚会不会太窄,线宽是挺宽的了
6楼2017-06-21 16:12:23
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科研小菜鸟

银虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
你好,控制dose非常重要,你可以先研究不同dose和thin film thickness之间的关系,然后再用那个dose去expose. Development过程中使用的溶剂也非常重要
2楼2017-06-02 09:03:51
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偶然556

新虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 科研小菜鸟 at 2017-06-02 09:03:51
你好,控制dose非常重要,你可以先研究不同dose和thin film thickness之间的关系,然后再用那个dose去expose. Development过程中使用的溶剂也非常重要

谢谢,显影液我是用的SU-8配套的,现在不知道是不是因为槽太密集了(槽宽30μm,间距也是30μm,总共12个槽),槽壁太宽,显影的时候导致槽壁容易歪,不知道显影液能不能稀释呢
4楼2017-06-19 16:55:40
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科研小菜鸟

银虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
4楼: Originally posted by 偶然556 at 2017-06-19 16:55:40
谢谢,显影液我是用的SU-8配套的,现在不知道是不是因为槽太密集了(槽宽30μm,间距也是30μm,总共12个槽),槽壁太宽,显影的时候导致槽壁容易歪,不知道显影液能不能稀释呢...

做negative photoresist会有这种情况,就是pattern collapse, SU-8可以加工到小于30nm,显影液最好暂时不要调控,可以试试development时间控制,如果太长高分子会溶胀导致上诉情况产生
5楼2017-06-20 08:53:51
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科研小菜鸟

银虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
还有一种可能,曝光dose不够,导致交联度不够大,你看到的槽壁弯曲最终洗掉应该是形成了一种交联度不高的network,可以试试提高dose看看
7楼2017-06-22 09:46:19
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偶然556

新虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by 科研小菜鸟 at 2017-06-22 09:46:19
还有一种可能,曝光dose不够,导致交联度不够大,你看到的槽壁弯曲最终洗掉应该是形成了一种交联度不高的network,可以试试提高dose看看

曝光剂量我从500到1000的都试过了,还是一样的结果(100μm厚),我能加你微信什么的吗
8楼2017-06-26 21:50:52
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biany_yg

铁虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
前烘温度提高到100--105度试试看,或者曝光时间加长
9楼2017-07-26 10:19:58
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偶然556

新虫 (正式写手)

引用回帖:
9楼: Originally posted by biany_yg at 2017-07-26 10:19:58
前烘温度提高到100--105度试试看,或者曝光时间加长

对了,我是用铜基底做的,不知道影响有多大
10楼2017-07-28 11:01:20
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