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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 高分子 » 成型加工 » 求光刻胶的大神
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偶然556

新虫 (正式写手)

[交流] 求光刻胶的大神 已有9人参与

我是买的SU-8光刻胶干膜，然后把它贴在铜基底上，做一个30μm、深宽比为3.3:1左右的凹槽，一个基底上开了12个凹槽，等间距的。
固化工艺是：
前烘92°，2min；
曝光40s(100μm厚)；
后烘：65°，5min；95°，10min；
但是一直显影失败，显影的的时候那些槽壁会慢慢变弯曲成波浪形，最终全显影掉。试过不同的显影时间都是这个情况。现在不知道什么原因了，求大神帮忙分析分析。
本人和导师都是第一次接触这个完全不懂，出现问题也不知道找谁交流，只能上这来求助了
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1楼 2017-05-28 20:55:28
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weilingdun

木虫 (著名写手)
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3楼2017-06-02 19:28:19
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偶然556

新虫 (正式写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 科研小菜鸟 at 2017-06-20 08:53:51
做negative photoresist会有这种情况，就是pattern collapse， SU-8可以加工到小于30nm，显影液最好暂时不要调控，可以试试development时间控制，如果太长高分子会溶胀导致上诉情况产生...

我现在深宽比是3.3左右，显影的时候就是还没显透槽壁就已经歪了，然后显影不同时间都试过了，还是一样的情况。上面说错了，应该是不知道壁厚会不会太窄，线宽是挺宽的了
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6楼2017-06-21 16:12:23
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科研小菜鸟

银虫 (正式写手)
★
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你好，控制dose非常重要，你可以先研究不同dose和thin film thickness之间的关系，然后再用那个dose去expose. Development过程中使用的溶剂也非常重要
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2楼2017-06-02 09:03:51
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偶然556

新虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 科研小菜鸟 at 2017-06-02 09:03:51
你好，控制dose非常重要，你可以先研究不同dose和thin film thickness之间的关系，然后再用那个dose去expose. Development过程中使用的溶剂也非常重要

谢谢，显影液我是用的SU-8配套的，现在不知道是不是因为槽太密集了（槽宽30μm，间距也是30μm，总共12个槽），槽壁太宽，显影的时候导致槽壁容易歪，不知道显影液能不能稀释呢
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4楼2017-06-19 16:55:40
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科研小菜鸟

银虫 (正式写手)
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引用回帖:
4楼: Originally posted by 偶然556 at 2017-06-19 16:55:40
谢谢，显影液我是用的SU-8配套的，现在不知道是不是因为槽太密集了（槽宽30μm，间距也是30μm，总共12个槽），槽壁太宽，显影的时候导致槽壁容易歪，不知道显影液能不能稀释呢...

做negative photoresist会有这种情况，就是pattern collapse， SU-8可以加工到小于30nm，显影液最好暂时不要调控，可以试试development时间控制，如果太长高分子会溶胀导致上诉情况产生
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5楼2017-06-20 08:53:51
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科研小菜鸟

银虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
还有一种可能，曝光dose不够，导致交联度不够大，你看到的槽壁弯曲最终洗掉应该是形成了一种交联度不高的network,可以试试提高dose看看
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7楼2017-06-22 09:46:19
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偶然556

新虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by 科研小菜鸟 at 2017-06-22 09:46:19
还有一种可能，曝光dose不够，导致交联度不够大，你看到的槽壁弯曲最终洗掉应该是形成了一种交联度不高的network,可以试试提高dose看看

曝光剂量我从500到1000的都试过了，还是一样的结果（100μm厚），我能加你微信什么的吗
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8楼2017-06-26 21:50:52
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biany_yg

铁虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
前烘温度提高到100-－105度试试看，或者曝光时间加长
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9楼2017-07-26 10:19:58
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偶然556

新虫 (正式写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by biany_yg at 2017-07-26 10:19:58
前烘温度提高到100-－105度试试看，或者曝光时间加长

对了，我是用铜基底做的，不知道影响有多大
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10楼2017-07-28 11:01:20
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