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leeman911

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yswyx

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【答案】应助回帖

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124685887: 专家考核, 谢谢指导 2013-07-15 21:39:03
如果你能找到椭偏仪或者是光学膜厚仪,可以直接测,不用破坏。
如果是湿法腐蚀后用台阶仪测,完全没有问题,硅和氧化硅的腐蚀速率差别非常大。
2楼2013-07-15 16:10:05
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鼓声点点

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【答案】应助回帖

★ ★
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leeman911(124685887代发): 金币+2, 积极应助,见解科学 2013-07-15 21:40:13
1,能用椭偏仪测量最好了。
2,湿法刻蚀很难找到一种溶液,对SiO2的刻蚀速率大于Si的。一般SiO2常用来作为湿法刻蚀Si的掩膜。
所以最省事的办法就是,先在单晶硅表面做光刻胶掩膜曝光出图形,再蒸镀二氧化硅,liftoff之后可以用台阶仪测量。
每天进步一点点
4楼2013-07-15 16:54:46
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

引用回帖:
4楼: Originally posted by 鼓声点点 at 2013-07-15 16:54:46
1,能用椭偏仪测量最好了。
2,湿法刻蚀很难找到一种溶液,对SiO2的刻蚀速率大于Si的。一般SiO2常用来作为湿法刻蚀Si的掩膜。
所以最省事的办法就是,先在单晶硅表面做光刻胶掩膜曝光出图形,再蒸镀二氧化硅,lif ...

1. 湿法叫腐蚀,干法才叫刻蚀。
2. 无论是HF还是BOE,腐蚀SiO2的速率远大于Si。
3. 蒸镀氧化硅是制造氧化硅中最最难的一种,也是代价最大的一种。
4. 无论是蒸镀,溅射,还是PECVD,都有较大的温升,对光刻胶损害很大,所以需要特殊的耐高温光刻胶。所以lift off对于制造图形化的氧化层,是最笨的方法。

回答问题是好事儿,但是要确保答案正确,回答要靠谱,否则就是害人了。
17楼2013-07-16 12:36:09
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limeiyu53

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光刻胶是可行,可是你不觉得麻烦吗?掰开用SEM扫描一下断面不就知道厚度了,如果不愿意毁坏片子,可以用F20测试一下厚度
3楼2013-07-15 16:42:30
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yqxuefei

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椭偏仪可以直接测量滴
5楼2013-07-15 17:14:26
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gxytju2008

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124685887: 专家考核, 谢谢指导 2013-07-16 08:44:22
椭偏仪,XRD也可以,不过需要比较新的设备
6楼2013-07-15 17:21:50
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leeman911

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7楼2013-07-15 18:24:05
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leeman911

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8楼2013-07-15 18:25:16
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xunmengyuan

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9楼2013-07-15 19:44:18
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