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xunmengyuan

禁虫 (正式写手)

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11楼2013-07-15 20:19:27
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鼓声点点

捐助贵宾 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
8楼: Originally posted by leeman911 at 2013-07-15 18:25:16
蒸镀的时候要加温啊,达到需要的折射率,那光刻胶会受不了啊...

Liftoff之后再加温不可以吗?
每天进步一点点
12楼2013-07-15 21:06:22
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mengyonghong

银虫 (小有名气)

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感谢参与,应助指数 +1
用EMPro激光橢偏仪直接可测出膜厚和折射率,方便,快速。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
13楼2013-07-16 06:34:59
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f22450

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
用椭偏仪就OK了,目前光伏企业测试PE镀膜减反层厚度都用这个的,希望有用
14楼2013-07-16 08:34:58
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小鱼1989

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
掰开,竖直放样看SEM
focusonmyresearchinlimitedtime
15楼2013-07-16 10:02:55
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

引用回帖:
7楼: Originally posted by leeman911 at 2013-07-15 18:24:05
现在只有台阶仪,曝光机啥的,如果湿法腐蚀的话,用什么溶液?楼下有人说二氧化硅速率慢的。。。...

BOE,就是加缓冲剂的HF。
BOE腐蚀硅的速率<1nm/min,腐蚀干氧氧化层的速率在1nm/s左右,速率差大于50倍。用这个特性做氧化层的自停止腐蚀是最最基本半导体工艺方法,别听不靠谱的瞎扯。
16楼2013-07-16 12:30:39
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

引用回帖:
4楼: Originally posted by 鼓声点点 at 2013-07-15 16:54:46
1,能用椭偏仪测量最好了。
2,湿法刻蚀很难找到一种溶液,对SiO2的刻蚀速率大于Si的。一般SiO2常用来作为湿法刻蚀Si的掩膜。
所以最省事的办法就是,先在单晶硅表面做光刻胶掩膜曝光出图形,再蒸镀二氧化硅,lif ...

1. 湿法叫腐蚀,干法才叫刻蚀。
2. 无论是HF还是BOE,腐蚀SiO2的速率远大于Si。
3. 蒸镀氧化硅是制造氧化硅中最最难的一种,也是代价最大的一种。
4. 无论是蒸镀,溅射,还是PECVD,都有较大的温升,对光刻胶损害很大,所以需要特殊的耐高温光刻胶。所以lift off对于制造图形化的氧化层,是最笨的方法。

回答问题是好事儿,但是要确保答案正确,回答要靠谱,否则就是害人了。
17楼2013-07-16 12:36:09
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ptpt

新虫 (初入文坛)

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你长的时候就应该遮挡下做个台阶不就好了!
18楼2013-07-16 13:17:36
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ptpt

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

拿一般的弹片挡住或者用专门的透明胶挡住,500nm毫无压力的
19楼2013-07-16 13:18:40
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lee988325

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
XRR 應該可以直接換算膜厚

不然就是 auger 作 depth profiling 看氧含量變化
SIMS也可以做同樣的事情
20楼2013-07-16 17:33:19
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