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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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xunmengyuan

禁虫 (正式写手)
本帖内容被屏蔽
11楼2013-07-15 20:19:27
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鼓声点点

捐助贵宾 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
8楼: Originally posted by leeman911 at 2013-07-15 18:25:16
蒸镀的时候要加温啊，达到需要的折射率，那光刻胶会受不了啊...

Liftoff之后再加温不可以吗？
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每天进步一点点
12楼2013-07-15 21:06:22
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mengyonghong

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
用EMPro激光橢偏仪直接可测出膜厚和折射率，方便，快速。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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13楼2013-07-16 06:34:59
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f22450

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
用椭偏仪就OK了，目前光伏企业测试PE镀膜减反层厚度都用这个的，希望有用
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14楼2013-07-16 08:34:58
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小鱼1989

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
掰开，竖直放样看SEM
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focusonmyresearchinlimitedtime
15楼2013-07-16 10:02:55
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
7楼: Originally posted by leeman911 at 2013-07-15 18:24:05
现在只有台阶仪，曝光机啥的，如果湿法腐蚀的话，用什么溶液？楼下有人说二氧化硅速率慢的。。。...

BOE，就是加缓冲剂的HF。
BOE腐蚀硅的速率<1nm/min，腐蚀干氧氧化层的速率在1nm/s左右，速率差大于50倍。用这个特性做氧化层的自停止腐蚀是最最基本半导体工艺方法，别听不靠谱的瞎扯。
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16楼2013-07-16 12:30:39
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
4楼: Originally posted by 鼓声点点 at 2013-07-15 16:54:46
1，能用椭偏仪测量最好了。
2，湿法刻蚀很难找到一种溶液，对SiO2的刻蚀速率大于Si的。一般SiO2常用来作为湿法刻蚀Si的掩膜。
所以最省事的办法就是，先在单晶硅表面做光刻胶掩膜曝光出图形，再蒸镀二氧化硅，lif ...

1. 湿法叫腐蚀，干法才叫刻蚀。
2. 无论是HF还是BOE，腐蚀SiO2的速率远大于Si。
3. 蒸镀氧化硅是制造氧化硅中最最难的一种，也是代价最大的一种。
4. 无论是蒸镀，溅射，还是PECVD，都有较大的温升，对光刻胶损害很大，所以需要特殊的耐高温光刻胶。所以lift off对于制造图形化的氧化层，是最笨的方法。

回答问题是好事儿，但是要确保答案正确，回答要靠谱，否则就是害人了。
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17楼2013-07-16 12:36:09
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ptpt

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
你长的时候就应该遮挡下做个台阶不就好了！
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18楼2013-07-16 13:17:36
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ptpt

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

拿一般的弹片挡住或者用专门的透明胶挡住，500nm毫无压力的
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19楼2013-07-16 13:18:40
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lee988325

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
XRR 應該可以直接換算膜厚

不然就是 auger 作 depth profiling 看氧含量變化
SIMS也可以做同樣的事情
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20楼2013-07-16 17:33:19
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