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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 求大神指教啊，在单晶硅片上，镀了层二氧化硅，怎样精确测二氧化硅厚度？
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leeman911

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@静静一yi

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1楼 2013-07-15 15:57:02
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
7楼: Originally posted by leeman911 at 2013-07-15 18:24:05
现在只有台阶仪，曝光机啥的，如果湿法腐蚀的话，用什么溶液？楼下有人说二氧化硅速率慢的。。。...

BOE，就是加缓冲剂的HF。
BOE腐蚀硅的速率<1nm/min，腐蚀干氧氧化层的速率在1nm/s左右，速率差大于50倍。用这个特性做氧化层的自停止腐蚀是最最基本半导体工艺方法，别听不靠谱的瞎扯。
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16楼2013-07-16 12:30:39
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
124685887: 专家考核, 谢谢指导 2013-07-15 21:39:03
如果你能找到椭偏仪或者是光学膜厚仪，可以直接测，不用破坏。
如果是湿法腐蚀后用台阶仪测，完全没有问题，硅和氧化硅的腐蚀速率差别非常大。
赞一下(2人) 回复此楼
2楼2013-07-15 16:10:05
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limeiyu53

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
光刻胶是可行，可是你不觉得麻烦吗？掰开用SEM扫描一下断面不就知道厚度了，如果不愿意毁坏片子，可以用F20测试一下厚度
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3楼2013-07-15 16:42:30
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鼓声点点

捐助贵宾 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
leeman911(124685887代发): 金币+2, 积极应助，见解科学 2013-07-15 21:40:13
1，能用椭偏仪测量最好了。
2，湿法刻蚀很难找到一种溶液，对SiO2的刻蚀速率大于Si的。一般SiO2常用来作为湿法刻蚀Si的掩膜。
所以最省事的办法就是，先在单晶硅表面做光刻胶掩膜曝光出图形，再蒸镀二氧化硅，liftoff之后可以用台阶仪测量。
赞一下(1人) 回复此楼
每天进步一点点
4楼2013-07-15 16:54:46
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