应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 求大神指教啊，在单晶硅片上，镀了层二氧化硅，怎样精确测二氧化硅厚度？
52/1返回列表
查看: 2226  |  回复: 21
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

leeman911

禁虫 (初入文坛)
本帖内容被屏蔽

» 本帖@通知

@静静一yi

» 猜你喜欢
1楼 2013-07-15 15:57:02
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
7楼: Originally posted by leeman911 at 2013-07-15 18:24:05
现在只有台阶仪，曝光机啥的，如果湿法腐蚀的话，用什么溶液？楼下有人说二氧化硅速率慢的。。。...

BOE，就是加缓冲剂的HF。
BOE腐蚀硅的速率<1nm/min，腐蚀干氧氧化层的速率在1nm/s左右，速率差大于50倍。用这个特性做氧化层的自停止腐蚀是最最基本半导体工艺方法，别听不靠谱的瞎扯。
赞一下 回复此楼
16楼2013-07-16 12:30:39
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 22 个回答

yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
124685887: 专家考核, 谢谢指导 2013-07-15 21:39:03
如果你能找到椭偏仪或者是光学膜厚仪，可以直接测，不用破坏。
如果是湿法腐蚀后用台阶仪测，完全没有问题，硅和氧化硅的腐蚀速率差别非常大。
赞一下(2人) 回复此楼
2楼2013-07-15 16:10:05
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

limeiyu53

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
光刻胶是可行，可是你不觉得麻烦吗？掰开用SEM扫描一下断面不就知道厚度了，如果不愿意毁坏片子，可以用F20测试一下厚度
赞一下 回复此楼
3楼2013-07-15 16:42:30
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

鼓声点点

捐助贵宾 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
leeman911(124685887代发): 金币+2, 积极应助，见解科学 2013-07-15 21:40:13
1，能用椭偏仪测量最好了。
2，湿法刻蚀很难找到一种溶液，对SiO2的刻蚀速率大于Si的。一般SiO2常用来作为湿法刻蚀Si的掩膜。
所以最省事的办法就是，先在单晶硅表面做光刻胶掩膜曝光出图形，再蒸镀二氧化硅，liftoff之后可以用台阶仪测量。
赞一下(1人) 回复此楼
每天进步一点点
4楼2013-07-15 16:54:46
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 22 个回答
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭