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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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leeman911

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@静静一yi

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1楼 2013-07-15 15:57:02
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
4楼: Originally posted by 鼓声点点 at 2013-07-15 16:54:46
1，能用椭偏仪测量最好了。
2，湿法刻蚀很难找到一种溶液，对SiO2的刻蚀速率大于Si的。一般SiO2常用来作为湿法刻蚀Si的掩膜。
所以最省事的办法就是，先在单晶硅表面做光刻胶掩膜曝光出图形，再蒸镀二氧化硅，lif ...

1. 湿法叫腐蚀，干法才叫刻蚀。
2. 无论是HF还是BOE，腐蚀SiO2的速率远大于Si。
3. 蒸镀氧化硅是制造氧化硅中最最难的一种，也是代价最大的一种。
4. 无论是蒸镀，溅射，还是PECVD，都有较大的温升，对光刻胶损害很大，所以需要特殊的耐高温光刻胶。所以lift off对于制造图形化的氧化层，是最笨的方法。

回答问题是好事儿，但是要确保答案正确，回答要靠谱，否则就是害人了。
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17楼2013-07-16 12:36:09
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
124685887: 专家考核, 谢谢指导 2013-07-15 21:39:03
如果你能找到椭偏仪或者是光学膜厚仪，可以直接测，不用破坏。
如果是湿法腐蚀后用台阶仪测，完全没有问题，硅和氧化硅的腐蚀速率差别非常大。
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2楼2013-07-15 16:10:05
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limeiyu53

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
光刻胶是可行，可是你不觉得麻烦吗？掰开用SEM扫描一下断面不就知道厚度了，如果不愿意毁坏片子，可以用F20测试一下厚度
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3楼2013-07-15 16:42:30
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鼓声点点

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【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
leeman911(124685887代发): 金币+2, 积极应助，见解科学 2013-07-15 21:40:13
1，能用椭偏仪测量最好了。
2，湿法刻蚀很难找到一种溶液，对SiO2的刻蚀速率大于Si的。一般SiO2常用来作为湿法刻蚀Si的掩膜。
所以最省事的办法就是，先在单晶硅表面做光刻胶掩膜曝光出图形，再蒸镀二氧化硅，liftoff之后可以用台阶仪测量。
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每天进步一点点
4楼2013-07-15 16:54:46
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