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leeman911

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@静静一yi

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1楼 2013-07-15 15:57:02
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xunmengyuan

禁虫 (正式写手)
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9楼2013-07-15 19:44:18
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
124685887: 专家考核, 谢谢指导 2013-07-15 21:39:03
如果你能找到椭偏仪或者是光学膜厚仪，可以直接测，不用破坏。
如果是湿法腐蚀后用台阶仪测，完全没有问题，硅和氧化硅的腐蚀速率差别非常大。
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2楼2013-07-15 16:10:05
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limeiyu53

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
光刻胶是可行，可是你不觉得麻烦吗？掰开用SEM扫描一下断面不就知道厚度了，如果不愿意毁坏片子，可以用F20测试一下厚度
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3楼2013-07-15 16:42:30
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鼓声点点

捐助贵宾 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
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leeman911(124685887代发): 金币+2, 积极应助，见解科学 2013-07-15 21:40:13
1，能用椭偏仪测量最好了。
2，湿法刻蚀很难找到一种溶液，对SiO2的刻蚀速率大于Si的。一般SiO2常用来作为湿法刻蚀Si的掩膜。
所以最省事的办法就是，先在单晶硅表面做光刻胶掩膜曝光出图形，再蒸镀二氧化硅，liftoff之后可以用台阶仪测量。
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每天进步一点点
4楼2013-07-15 16:54:46
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