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[交流]
ZnO 带隙计算的几种方法比较已有3人参与
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本人利用北京市计算中心高性能计算平台（如果租资源或申请试用查看此链接http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=9878119&pid=1#pid1）对ZnO的带隙做了计算测试，现在把测试结果贴出来以供大家交流。 本案例主要目是定性比较几种方法计算值与实验值接近程度，每种方法更精确的值需要大家自己对一些参数作更多的测试。 1、结构模型： Symmetry Group P63MC(C6V-4) IT Number 186 a ,b,c 3.2493, 3.2493, 5.2054 α，β，γ 90， 90， 120 2、带隙计算结果： GGA-PBE PBE0 B3LYP HSE03 HSE06 0.965 2.84 2.57 2.106 2.308 3、能带和TDOS 4、PDOS  pbe-band.png  pbe0-band.png  b3lyp-band.png  hse03-band.png  hse06-band.png  pbe-PDOS.png  pbe0-PDOS.png  b3lyp-PDOS.png  hse03-PDOS.png  hse06-PDOS.png |
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ZnO的带隙我也计算过,用HSE06和HSE03,在2.0-2.7之间,但Stewart Clark他们用杂化泛函sX可以做到3.2,我也曾经试过sX计算ZnO的带隙,也就是2.2.我也想知道他们是怎么计算的，我看他们文章里面提到一个重要参数screen length，但是这个参数在ms中没有体现，难道是只要选择杂化泛函，screen length就会默认一个数值。搞不明白。 我发现有三个地方对带隙影响比较大,一个是优化时候的泛函,一个是优化完之后,能量计算的泛函,第三个是选中band structure 之后，会有一个单独的能带计算泛函让你选择，不选择就是默认能量计算的泛函，如果选择的和默认泛函不一样，计算出来的带隙值也有很大差别。其他参数比如k点，取555或者999对带隙的影响不会超过0.2。 这些参数怎么选择，还是是搞不懂。 |
4楼2016-07-28 18:53:18
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5楼2016-07-28 22:56:17