[求助] sX方法计算ZnO TiO2带隙

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1楼2015-06-02 22:12:31

卡开发发

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不知道计算前K和截断能是否测试？模守恒的截断能通常要需求很高，不充分的K进行结构优化得到的结构不可靠，能带也不准。另外CASTEP下取偶数尽可能手工平移K点或者取奇数，这样能够保证K网格包含Gamma点结果可能会好些。（尚未搞清LZ为什么换赝势）。

不排除早期因为计算量的问题可能对晶格不优化或GGA优化的，算出来的带隙与sX做结构优化可能稍有不同。

目前来说，HSE06可能能给出更好的结果。

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875097375

不一定挂在论坛，计算问题问题欢迎留言。

2楼2015-06-03 03:43:41

林小燕儿

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你用来计算的模型，是优化后的吗？

3楼2015-06-11 11:28:01

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引用回帖:

2楼: Originally posted by 卡开发发 at 2015-06-03 03:43:41
不知道计算前K和截断能是否测试？模守恒的截断能通常要需求很高，不充分的K进行结构优化得到的结构不可靠，能带也不准。另外CASTEP下取偶数尽可能手工平移K点或者取奇数，这样能够保证K网格包含Gamma点结果可能会好 ...

没做K和截断能测试。不过我现在正在做截断能和K点测试。截断能测试的结果是随着截断能的增加趋向收敛。取了800eV的截断能然后进行K测试，但K点测试老是收敛失败。不知道什么原因，正在找。回头我把结果整理下贴上来。

4楼2015-06-11 17:37:45

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引用回帖:

3楼: Originally posted by 林小燕儿 at 2015-06-11 11:28:01
你用来计算的模型，是优化后的吗？

是优化后的，不过是找了个较大的截断能和随便一个K。

5楼2015-06-11 17:38:23

卡开发发

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引用回帖:

4楼: Originally posted by 875097375 at 2015-06-11 17:37:45
没做K和截断能测试。不过我现在正在做截断能和K点测试。截断能测试的结果是随着截断能的增加趋向收敛。取了800eV的截断能然后进行K测试，但K点测试老是收敛失败。不知道什么原因，正在找。回头我把结果整理下贴上来 ...

好的，到时候望交流，近几日正忙。

不一定挂在论坛，计算问题问题欢迎留言。

6楼2015-06-13 22:18:42