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【求助】如何从紫外可见吸收光谱得出物质的禁带宽度
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| 我制备的一种直接带隙半导体,打算通过UV-Vis 分析确定其band gap energy,却发现其吸收边(adsorption edge of the spectrum)不是很steep,而在吸收边顶端有一个明显的吸收峰位于620nm左右,如果按照文献上报道由吸收边引出一条切线,与X轴相交,则都落在900多nm了, 因此我想知道是不是有吸收峰的就按吸收峰算?同时我还想请教一下,我制备的材料具有分级结构,是由纳米片(nanoflakes)组装成的微米球,尺寸有一定的分布,从片十几纳米到几微米的球,因此吸收边不陡峭(或者说吸收峰的宽化),会不会是由尺寸分布引起的? |
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