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【求助】如何从紫外可见吸收光谱得出物质的禁带宽度
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| 我制备的一种直接带隙半导体，打算通过UV-Vis 分析确定其band gap energy，却发现其吸收边（adsorption edge of the spectrum）不是很steep，而在吸收边顶端有一个明显的吸收峰位于620nm左右，如果按照文献上报道由吸收边引出一条切线，与X轴相交，则都落在900多nm了， 因此我想知道是不是有吸收峰的就按吸收峰算？同时我还想请教一下，我制备的材料具有分级结构，是由纳米片（nanoflakes）组装成的微米球，尺寸有一定的分布，从片十几纳米到几微米的球，因此吸收边不陡峭（或者说吸收峰的宽化），会不会是由尺寸分布引起的？ |
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