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wxlz

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】如何从紫外可见吸收光谱得出物质的禁带宽度

我制备的一种直接带隙半导体,打算通过UV-Vis 分析确定其band gap energy,却发现其吸收边(adsorption edge of the spectrum)不是很steep,而在吸收边顶端有一个明显的吸收峰位于620nm左右,如果按照文献上报道由吸收边引出一条切线,与X轴相交,则都落在900多nm了, 因此我想知道是不是有吸收峰的就按吸收峰算?同时我还想请教一下,我制备的材料具有分级结构,是由纳米片(nanoflakes)组装成的微米球,尺寸有一定的分布,从片十几纳米到几微米的球,因此吸收边不陡峭(或者说吸收峰的宽化),会不会是由尺寸分布引起的?
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gongminpj

铜虫 (初入文坛)

我也正在为能带间隙发愁,文献上大多是做(αhν)2-hν的关系图,然后就引出一条切线与横坐标的交点即Eg,但这条切线是怎样得来的啊?是拟合吗?还是别的,我做的图拟合的话就不是切线了,而是与曲线相交的玄线,请各位指教指教
、至于LZ说的宽化可能确实是又尺寸分布引起的宽化,我看过类似的文献。
2楼2008-10-23 12:22:19
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wxlz

银虫 (小有名气)

你看的文献有这样说的吗?有哪几篇啊?
3楼2008-10-23 12:42:22
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gongminpj

铜虫 (初入文坛)

以前看的了,好像中文英文的都有,具体哪几篇不记得了,这样文献感觉应该很多啊!
4楼2008-10-23 12:44:43
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wxlz

银虫 (小有名气)

我也按照文献,做了(hv-ahv)图,得到的切线与X轴交点的Eg数值,与用吸收边切线得到的不一样
5楼2008-10-23 12:49:46
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gongminpj

铜虫 (初入文坛)

请问你是怎么具体做这条切线的啊?
6楼2008-10-23 12:51:37
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wxlz

银虫 (小有名气)

不过与用吸收峰算出的Eg值倒是吻合,所以在找是不是有其他因素导致吸收峰宽化
7楼2008-10-23 12:51:47
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gongminpj

铜虫 (初入文坛)

你是怎么做Eg分析的咯?看看你相关文献撒?
好多文献中大多都是这句“由于纳米带尺寸分布不是很均匀可能导致了吸收带变宽,吸收峰位置不是很明显”,好像没见过其它的说法了,也可能是我看文献少了
8楼2008-10-23 13:01:35
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wxlz

银虫 (小有名气)

具体的方法文章里都有介绍,不过你要分清你的样品是直接带隙还是间接带隙的,稍微有点不同
9楼2008-10-23 13:04:02
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gongminpj

铜虫 (初入文坛)

那些文章?介绍外我看看,
10楼2008-10-23 13:07:42
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