| 查看: 1489 | 回复: 12 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【求助】如何从紫外可见吸收光谱得出物质的禁带宽度
|
|||
| 我制备的一种直接带隙半导体,打算通过UV-Vis 分析确定其band gap energy,却发现其吸收边(adsorption edge of the spectrum)不是很steep,而在吸收边顶端有一个明显的吸收峰位于620nm左右,如果按照文献上报道由吸收边引出一条切线,与X轴相交,则都落在900多nm了, 因此我想知道是不是有吸收峰的就按吸收峰算?同时我还想请教一下,我制备的材料具有分级结构,是由纳米片(nanoflakes)组装成的微米球,尺寸有一定的分布,从片十几纳米到几微米的球,因此吸收边不陡峭(或者说吸收峰的宽化),会不会是由尺寸分布引起的? |
» 猜你喜欢
0703化学求调剂
已经有10人回复
专硕310求调剂
已经有8人回复
考研调剂-材料类-284
已经有8人回复
266求调剂
已经有5人回复
265求调剂
已经有3人回复
070300化学279求调剂
已经有10人回复
材料工程085601,270求调剂
已经有16人回复
材料化工总分334求调剂
已经有7人回复
材料考研求调剂总分280
已经有33人回复
293分求调剂,外语为俄语
已经有10人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
7楼2008-10-23 12:51:47
2楼2008-10-23 12:22:19
3楼2008-10-23 12:42:22
4楼2008-10-23 12:44:43














回复此楼
