| 查看: 1501 | 回复: 12 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【求助】如何从紫外可见吸收光谱得出物质的禁带宽度
|
|||
| 我制备的一种直接带隙半导体，打算通过UV-Vis 分析确定其band gap energy，却发现其吸收边（adsorption edge of the spectrum）不是很steep，而在吸收边顶端有一个明显的吸收峰位于620nm左右，如果按照文献上报道由吸收边引出一条切线，与X轴相交，则都落在900多nm了， 因此我想知道是不是有吸收峰的就按吸收峰算？同时我还想请教一下，我制备的材料具有分级结构，是由纳米片（nanoflakes）组装成的微米球，尺寸有一定的分布，从片十几纳米到几微米的球，因此吸收边不陡峭（或者说吸收峰的宽化），会不会是由尺寸分布引起的？ |
回复此楼» 猜你喜欢
求调剂，一志愿材料科学与工程985，365分，
已经有5人回复
-
271求调剂
已经有10人回复
-
0854调剂
已经有7人回复
-
272分材料子求调剂
已经有44人回复
-
085410 273求调剂
已经有5人回复
-
材料考研调剂
已经有25人回复
-
材料工程281还有调剂机会吗
已经有11人回复
-
303求调剂
已经有12人回复
-
290调剂生物0860
已经有14人回复
-
农学0904 312求调剂
已经有3人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
4楼2008-10-23 12:44:43
2楼2008-10-23 12:22:19
3楼2008-10-23 12:42:22
5楼2008-10-23 12:49:46
