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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 交流探讨 » 【求助】如何从紫外可见吸收光谱得出物质的禁带宽度
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wxlz

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】如何从紫外可见吸收光谱得出物质的禁带宽度

我制备的一种直接带隙半导体，打算通过UV-Vis 分析确定其band gap energy，却发现其吸收边（adsorption edge of the spectrum）不是很steep，而在吸收边顶端有一个明显的吸收峰位于620nm左右，如果按照文献上报道由吸收边引出一条切线，与X轴相交，则都落在900多nm了，　因此我想知道是不是有吸收峰的就按吸收峰算？同时我还想请教一下，我制备的材料具有分级结构，是由纳米片（nanoflakes）组装成的微米球，尺寸有一定的分布，从片十几纳米到几微米的球，因此吸收边不陡峭（或者说吸收峰的宽化），会不会是由尺寸分布引起的？
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1楼 2008-10-23 11:21:14
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gongminpj

铜虫 (初入文坛)
以前看的了，好像中文英文的都有，具体哪几篇不记得了，这样文献感觉应该很多啊！
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4楼2008-10-23 12:44:43
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gongminpj

铜虫 (初入文坛)
我也正在为能带间隙发愁，文献上大多是做（αhν)2-hν的关系图，然后就引出一条切线与横坐标的交点即Eg，但这条切线是怎样得来的啊？是拟合吗？还是别的，我做的图拟合的话就不是切线了，而是与曲线相交的玄线，请各位指教指教
、至于LZ说的宽化可能确实是又尺寸分布引起的宽化，我看过类似的文献。
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2楼2008-10-23 12:22:19
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wxlz

银虫 (小有名气)
你看的文献有这样说的吗？有哪几篇啊？
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3楼2008-10-23 12:42:22
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wxlz

银虫 (小有名气)
我也按照文献，做了（hv-ahv）图，得到的切线与X轴交点的Eg数值，与用吸收边切线得到的不一样
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5楼2008-10-23 12:49:46
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