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吃鱼的牛仔

金虫 (小有名气)

[求助] 求助,,为什么优化后的晶格常数相差文献的数据很大? 已有1人参与

在验证文献上的数据时,优化的晶格常数相差特别大。

求助,,为什么优化后的晶格常数相差文献的数据很大?
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求助,,为什么优化后的晶格常数相差文献的数据很大?-1
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好好学习天天向上
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cahndengbin

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
吃鱼的牛仔: 金币+20, 有帮助, 还是感谢你的应助 。 2016-03-13 21:26:07
1) ISIF=4并不改变原胞体积,全局优化应该用ISIF=3。
2) 看你建的晶胞是SnSe晶体,并不是Monolayer,即使合理优化,结果也不一样。
2楼2016-03-13 20:07:47
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吃鱼的牛仔

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by cahndengbin at 2016-03-13 20:07:47
1) ISIF=4并不改变原胞体积,全局优化应该用ISIF=3。
2) 看你建的晶胞是SnSe晶体,并不是Monolayer,即使合理优化,结果也不一样。

你好 ,我真空层是有16,这应该是单层吧?
我是优化单层SnSe,真空层是足够的,要用ISIF=4吗?
好好学习天天向上
3楼2016-03-13 20:14:08
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cahndengbin

新虫 (小有名气)

你好,我不做表面。但是侯柱峰 VASP软件包的使用入门指南说
“在做表面的性质计算时,有四大步骤:1.材料体性质的计算,2.slab模型的构造,3.表面体系。表面体系的结构优化,4.表面体系性质的计算。而第一步1.材料体性质的计算,主要是为了确定后面在表面计算时所需要的一些参数:ENCUT,当采用ISMEAR = 1或0时的 SIGMA值, 以及体材料的晶格参数(因为构造slab模型是以体材料的晶格参数作为基础来进行的)“ 因此,你现在需要先优化体材料的晶格参数,应该用ISIF=3。
4楼2016-03-14 12:09:37
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Ireson

银虫 (正式写手)

5楼2016-03-15 21:18:56
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Ireson

银虫 (正式写手)

算了,我之前也痛苦过。第一,你的结构真是建醉了,真空层方向一般定位z方向,你用的y。后面一系列布里渊区路径都记得要换哦(如果你要算能带的话。第二,两种方法。修改vasp,让真空方向不受力,做一个cell体积变化的relax就完了。或者不改软件,用那啥等于4,改晶格常数做EV曲线

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» 本帖已获得的红花(最新10朵)

6楼2016-03-15 21:27:45
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吃鱼的牛仔

金虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
6楼: Originally posted by Ireson at 2016-03-15 21:27:45
算了,我之前也痛苦过。第一,你的结构真是建醉了,真空层方向一般定位z方向,你用的y。后面一系列布里渊区路径都记得要换哦(如果你要算能带的话。第二,两种方法。修改vasp,让真空方向不受力,做一个cell体积变化 ...

谢谢,建议有用!我还想问下,为什么计算得到的结果有时和文献相差很远 ?还有如果我验证上面的晶格常数 ,相差0.05,这个能接受吗 ?

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好好学习天天向上
7楼2016-03-15 21:59:28
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Ireson

银虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by 吃鱼的牛仔 at 2016-03-15 21:59:28
谢谢,建议有用!我还想问下,为什么计算得到的结果有时和文献相差很远 ?还有如果我验证上面的晶格常数 ,相差0.05,这个能接受吗 ?
...

没改vasp的情况下,修改晶格常数做E-V曲线ISIF=4,能量极值对应的晶格常数就是优化的结果.不知道你做过EV曲线没?第二,0.05的误差可以忍
8楼2016-03-15 22:06:02
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吃鱼的牛仔

金虫 (小有名气)

好的,刚上手,各种不懂 ,EV曲线是必须要做的吗 ?vasp机群编译这个复杂吗?

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好好学习天天向上
9楼2016-03-15 22:39:16
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