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fangyongxinxi

新虫 (正式写手)

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[求助] 求助：vasp 结构优化导致晶体结构改变，如何解释？

背景：
二元合金参杂第三种元素，考虑不同参杂浓度，对结合能和晶体结构的影响。
在一特定浓度下，由于对参杂原子个数不是一个，所以有不同分布状态（分布构型）；
现在我已经做了对每个构型进行结构弛豫（ISIF = 3）和能量计算。

对于特定浓度下，不同构型进行结构弛豫后，比较POSCAR和CONTCAR发现：大多数构型（eg. 构型A）的晶格结构基本没有变化（比如：晶体结构由最初的正方形变成稍微不那么正方形），但有少数构型（eg. 构型B）的晶体结构会发生明显改变（比如，由正方形变成明显的长方形）。

问题：
自己想解释为什么：有的分布构型弛豫后，晶体结构改变小；为什么有的分布构型弛豫后，晶体结构改变大。（这个问题诡异的地方是：需要解释为什么晶体结构优化后，会是这个样子？）
大家有见过别人怎么分析类似的问题吗？

自己的初步分析：
1. 利用结构优化的判据
直接对构型A,B进行SCF计算（不弛豫），得到stress，根据stress的大小，推测两种构型将在后来的结构优化中如何改变晶体形状。如果问原因的话，就把Force on per atom拿出来，指明stress的由来。再问原因的话，就画个DOS or 电子密度，拿化学键强弱变化说事。
这个方法是自己的第一印象，不知道能不能用这样的方法解释；

2. 计算声子谱，或弹性常数
声子谱和弹性常数，用来解释参杂导致的结构转变是很常见的。
这个方法备用，虽然可以说点事，但显得俗气，不及第一个方法直接；而且要解释弹性常数，还是需要做DOS or 电子密度的分析，会回归到第一种方法。

3. 用朗道结构相变画图进行唯象解释。
就画个朗道自由能曲线，结合序参量啥的，轻描淡写的说说。

anyway，看楼下怎么说。

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