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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 已知p-型<100>单晶硅片的电阻率，如何其空穴浓度。
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yandali

木虫 (小有名气)

[求助] 已知p-型<100>单晶硅片的电阻率，如何其空穴浓度。 已有2人参与

投了一篇文章，审稿人问了一个问题，请大神帮忙。The Si substrate is a p-type <100>-oriented monocrystalline silicon wafer with a resistivity of 10-15Ω•cm. What is the hole concentration in the Si substrate?
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1楼 2015-08-06 17:43:15
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zjlenny

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
可以通过电阻率算出（查出）掺杂浓度，可以得到空穴浓度
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2楼2015-08-07 08:32:18
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vsicbc

禁虫 (正式写手)
感谢参与，应助指数 +1
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3楼2015-08-07 10:01:27
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vsicbc

禁虫 (正式写手)
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yandali: 金币+10, 谢谢你的答复 2015-08-08 11:22:34
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yandali
4楼2015-08-07 10:04:18
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yandali

木虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by vsicbc at 2015-08-07 10:04:18
文献原文

再请教你一个问题，如果在这种硅片上再生长不同厚度的Cu2O薄膜，构建硅基Cu2O薄膜那么是不是复合材料的电导率要高于纯硅片呢，而且Cu2O薄膜薄膜越厚，电导率越高呢？谢谢你了，请赐教。
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5楼2015-08-08 11:32:09
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vsicbc

禁虫 (正式写手)
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6楼2015-08-08 17:34:18
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yandali

木虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by vsicbc at 2015-08-08 17:34:18
是审稿人提的问题么？方便的话贴一下原文。

Cu2O我记得n型掺杂不好做，一般都是p型空穴导电；因此，Cu2O的电导率取决于空穴浓度。Cu2O带宽2.1电子伏左右，硅的带宽1.1电子伏左右。

我不太明白你想问轴向导电 ...

这是关于在p型硅片上再生长不同厚度的Cu2O薄膜构建复合材料 S1, S2 and S3，然后通过在复合材料表面沉积两个Pt电极测试复合材料电阻的一个电阻式气敏传感器。审稿人的问题如下：
The Reviewer’s comment:
There is a real discussion on the effect of p-Cu2O / p-type silicon junction missing. What is the hole concentration in the Si substrate? How does the conductivity changes in S1, S2 and S3 samples? How does it affect the sensitivity and response?
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7楼2015-08-08 17:43:57
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vsicbc

禁虫 (正式写手)
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yandali
8楼2015-08-09 11:31:21
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yandali

木虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
8楼: Originally posted by vsicbc at 2015-08-09 11:31:21
审稿人的问题，最正统的回复方式是根据前两张示意图，画出第三张图，进而解释传感器的响应和敏感性变化。
当然，也有取巧的办法。
比如从气敏角度，抛光硅片由于比表面积太低，对气体吸附的影响比重很小，与之相 ...

你好，有几个问题请教你一下。这张图是我做的样品的示意图，就是在多孔硅（porous silicon PS）样品上生长不同厚度的Cu2O薄膜，在薄膜上溅射Pt电极，构建的复合材料S!,S2,S3（Cu2O厚度增加）气敏传感器。审稿人问了这么几个问题，There is a real discussion on the effect of p-Cu2O / p-type silicon junction missing. What is the hole concentration in the Si substrate? How does the conductivity changes in S1, S2 and S3 samples? How does it affect the sensitivity and response?
想请教一下，1.硅片的空穴浓度和硅片做成多孔硅的空穴浓度是一样的吗？
2.理论上来说，Cu2O薄膜越厚，复合材料的电阻率是否应该减小？
请不吝赐教，谢谢！
已知p-型<100>单晶硅片的电阻率，如何其空穴浓度。
fig1.gif
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9楼2015-08-09 20:31:35
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新虫 (小有名气)
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理学天下
10楼2017-01-13 07:08:46
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