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yandali

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[求助] 已知p-型<100>单晶硅片的电阻率，如何其空穴浓度。已有2人参与

投了一篇文章，审稿人问了一个问题，请大神帮忙。The Si substrate is a p-type <100>-oriented monocrystalline silicon wafer with a resistivity of 10-15Ω•cm. What is the hole concentration in the Si substrate?

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1楼 2015-08-06 17:43:15

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yandali

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引用回帖:

6楼: Originally posted by vsicbc at 2015-08-08 17:34:18
是审稿人提的问题么？方便的话贴一下原文。

Cu2O我记得n型掺杂不好做，一般都是p型空穴导电；因此，Cu2O的电导率取决于空穴浓度。Cu2O带宽2.1电子伏左右，硅的带宽1.1电子伏左右。

我不太明白你想问轴向导电 ...

这是关于在p型硅片上再生长不同厚度的Cu2O薄膜构建复合材料 S1, S2 and S3，然后通过在复合材料表面沉积两个Pt电极测试复合材料电阻的一个电阻式气敏传感器。审稿人的问题如下：
The Reviewer’s comment:
There is a real discussion on the effect of p-Cu2O / p-type silicon junction missing. What is the hole concentration in the Si substrate? How does the conductivity changes in S1, S2 and S3 samples? How does it affect the sensitivity and response?