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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 已知p-型<100>单晶硅片的电阻率，如何其空穴浓度。
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yandali

木虫 (小有名气)

[求助] 已知p-型<100>单晶硅片的电阻率，如何其空穴浓度。 已有2人参与

投了一篇文章，审稿人问了一个问题，请大神帮忙。The Si substrate is a p-type <100>-oriented monocrystalline silicon wafer with a resistivity of 10-15Ω•cm. What is the hole concentration in the Si substrate?
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1楼 2015-08-06 17:43:15
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vsicbc

禁虫 (正式写手)
感谢参与，应助指数 +1
本帖内容被屏蔽
3楼2015-08-07 10:01:27
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zjlenny

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
可以通过电阻率算出（查出）掺杂浓度，可以得到空穴浓度
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2楼2015-08-07 08:32:18
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yandali

木虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by vsicbc at 2015-08-07 10:04:18
文献原文

再请教你一个问题，如果在这种硅片上再生长不同厚度的Cu2O薄膜，构建硅基Cu2O薄膜那么是不是复合材料的电导率要高于纯硅片呢，而且Cu2O薄膜薄膜越厚，电导率越高呢？谢谢你了，请赐教。
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5楼2015-08-08 11:32:09
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vsicbc

禁虫 (正式写手)
本帖内容被屏蔽
6楼2015-08-08 17:34:18
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