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yandali

木虫 (小有名气)

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[求助] 已知p-型<100>单晶硅片的电阻率，如何其空穴浓度。已有2人参与

投了一篇文章，审稿人问了一个问题，请大神帮忙。The Si substrate is a p-type <100>-oriented monocrystalline silicon wafer with a resistivity of 10-15Ω•cm. What is the hole concentration in the Si substrate?

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1楼 2015-08-06 17:43:15

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yandali

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引用回帖:

8楼: Originally posted by vsicbc at 2015-08-09 11:31:21
审稿人的问题，最正统的回复方式是根据前两张示意图，画出第三张图，进而解释传感器的响应和敏感性变化。
当然，也有取巧的办法。
比如从气敏角度，抛光硅片由于比表面积太低，对气体吸附的影响比重很小，与之相 ...

你好，有几个问题请教你一下。这张图是我做的样品的示意图，就是在多孔硅（porous silicon PS）样品上生长不同厚度的Cu2O薄膜，在薄膜上溅射Pt电极，构建的复合材料S!,S2,S3（Cu2O厚度增加）气敏传感器。审稿人问了这么几个问题，There is a real discussion on the effect of p-Cu2O / p-type silicon junction missing. What is the hole concentration in the Si substrate? How does the conductivity changes in S1, S2 and S3 samples? How does it affect the sensitivity and response?
想请教一下，1.硅片的空穴浓度和硅片做成多孔硅的空穴浓度是一样的吗？
2.理论上来说，Cu2O薄膜越厚，复合材料的电阻率是否应该减小？
请不吝赐教，谢谢！