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ms_hit_yzy金虫 (小有名气)
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肖特基势垒及基本概念求助 已有4人参与
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1、肖特基势垒具有整流效应，当正向电压达到一定值时，开始有大电流流通，那这个开启电压与什么有关，外加电压与内建电压的合吗？ 2、外加反向电压会有反向漏电流，漏电流的大小与电压是什么关系？ 3、在开启电压处电流是否为零? 4、势垒高度与内建电场是一个概念吗？或者说势垒高度就是内建电压的强度？ 谢谢各位！ |
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至尊木虫 (著名写手)
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ms_hit_yzy: 金币+20, ★★★很有帮助, 跟上面差不多，也很好 2015-06-10 19:27:40
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1、肖特基势垒具有整流效应，当正向电压达到一定值时，开始有大电流流通，那这个开启电压与什么有关，外加电压与内建电压的合吗？ 开启电压近似为势垒高度约等于 内建电场 在开启电压处电流是否为零? 开启电压处电流相对于开启后电流很小，很少有为零的情况。 4、势垒高度与内建电场是一个概念吗？或者说势垒高度就是内建电压的强度？ 内建电场近似等于势垒高度， |
5楼2015-06-10 01:06:17
Beyond--如来
金虫 (正式写手)
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ms_hit_yzy: 金币+10, ★有帮助, 答的挺多，但是没有给出我问题的结果 2015-06-09 14:29:01
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肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。 肖特基二极管（SBD）的主要特点： 1）正向压降低：由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和 正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）反向恢复时间快：由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损 耗也特别小，尤其适合于高频应用。 3）工作频率高：由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。 4）反向耐压低：由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 金属与n型半导体形成的肖特基势垒如图1所示。金属—半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级。肖特基势垒相较于PN界面最大的区别在于具有较低的界面电压，以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)空乏区宽度。由半导体到金属，电子需要克服势垒；而由金属向半导体，电子受势垒阻挡。在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降；相反，在加反向偏置时，半导体一侧势垒增高。使得金属-半导体接触具有整流作用(但不是一切金属—半导体接触均如此）。如果对于P型半导体,金属的功函数大于半导体的功函数，对于N型半导体，金属的功函数小于半导体的功函数，以及半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时会出现欧姆接触，它会因杂质浓度高而发生隧道效应，以致势垒不起整流作用。并非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面则称为欧姆接触。整流属性决定于金属的功函、固有半导体的能隙，以及半导体的掺杂类型及浓度。在设计半导体器件时需要对肖特基效应相当熟悉，以确保不会在需要欧姆接触的地方意外地产生肖特基势垒。当半导体均匀掺杂时肖特基势垒的空间电荷层宽度和单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致。 |
2楼2015-06-09 13:06:51
ms_hit_yzy
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3楼2015-06-09 14:28:29
jerryxinjie
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ms_hit_yzy: 金币+10, ★★★★★最佳答案 2015-06-12 18:36:13
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4楼2015-06-10 00:23:51
