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maomao_84116

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[求助] 求助:为什么我的半导体Si的电流密度很低

文献上看到别人单独的n-Si电流密度都在10+mA/cm2,为什么我的一直在0.2左右徘徊,伤心啊~~文献说是肖特基势垒影响,查阅后发现要消除肖特基势垒一方面改变背面接触金属,另一方面重掺杂改变表面状态形成欧姆接触;但是接触金属改了后还是不行,重掺杂后Si效率变得很低,请有经验的虫虫提供些建议,谢谢啊
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maomao_84116: 金币+5 2013-04-28 14:32:19
1. 你怎么做的重掺?
2. 重掺后做欧姆接触的电极了吗?
3. 接触金属选的啥?
2楼2013-04-23 20:49:48
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maomao_84116

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引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2013-04-23 20:49:48
1. 你怎么做的重掺?
2. 重掺后做欧姆接触的电极了吗?
3. 接触金属选的啥?

掺P的片子是别人已经做好的,重掺杂后怎么做欧姆接触的电极?
3楼2013-04-28 14:32:13
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yswyx

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【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by maomao_84116 at 2013-04-28 14:32:13
掺P的片子是别人已经做好的,重掺杂后怎么做欧姆接触的电极?...

做重掺后,沉积Ni,Al之类的金属,然后做退火。这时候硅的表面会形成一层金属硅化物,再沉积一层金属作为电极,就形成了欧姆接触。这时候再用金属探针测试,就不存在肖特基势垒了。

这类工作我们常做,你需要什么样的电极,可以定制的。
4楼2013-04-29 00:12:15
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