| 查看: 1006 | 回复: 3 | |||
maomao_84116捐助贵宾 (正式写手)
|
[求助]
求助：为什么我的半导体Si的电流密度很低
|
| 文献上看到别人单独的n-Si电流密度都在10+mA/cm2，为什么我的一直在0.2左右徘徊，伤心啊~~文献说是肖特基势垒影响，查阅后发现要消除肖特基势垒一方面改变背面接触金属，另一方面重掺杂改变表面状态形成欧姆接触；但是接触金属改了后还是不行，重掺杂后Si效率变得很低，请有经验的虫虫提供些建议，谢谢啊 |
回复此楼» 猜你喜欢
拟解决的关键科学问题还要不要写
已经有11人回复
-
救命帖
已经有5人回复
-
限项规定
已经有5人回复
-
为什么nbs上溴 没有产物点出现呢
已经有9人回复
-
招博士
已经有3人回复
-
存款400万可以在学校里躺平吗
已经有35人回复
-
最失望的一年
已经有18人回复
-
求推荐博导
已经有4人回复
-
求推荐英文EI期刊
已经有5人回复
-
疑惑？
已经有5人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 求助关于计算用MS计算半导体能带的问题
已经有16人回复
- 电流如何在导体中传播？
已经有12人回复
- 为什么计算出硅的能带图是直接带隙的？
已经有6人回复
- 请教一下关于p型半导体光电流的问题
已经有6人回复
- 什么是半金属性呢？
已经有6人回复
- 关于间接带隙半导体的第一激发态的组成
已经有5人回复
- 如何采用固体的电负性值计算半导体的导带位置（希望懂的同学帮帮忙啊）
已经有19人回复
- 急求电化学方法在半导体上沉积金属银
已经有14人回复
- 半导体SiC的导带价带位置如何确定？
已经有4人回复
- si的禁带宽度是1.1eV，为什么很少人拿这个来做光催化剂？
已经有14人回复
- 请教金半接触 肖特基势垒的问题，多谢！
已经有11人回复
- castep计算半导体的时候，勾选 fix occupancy吗
已经有7人回复
- vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
已经有33人回复
- TiO2薄膜光电流测试
已经有12人回复
- 【交流】OFET器件的漏极电流与漏电流
已经有3人回复
- 【其他】不同版本软件计算Si的能带的结果比较，大家一起来做一下！
已经有14人回复
- 【求助】寻p型半导体材料 谢谢您的热心帮助！
已经有12人回复
- 【求助】半导体态密度穿过fermi能级，？
已经有14人回复
- 【求助】关于P型Si的电阻率和掺杂浓度的关系
已经有10人回复
- 【求助】为什么Ge 可以做 Laser pen (发光材料)而Si不可以？（能带理论解释）
已经有9人回复
yswyx 
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.1
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
2楼2013-04-23 20:49:48
maomao_84116
捐助贵宾 (正式写手)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 1126.2
- 散金: 198
- 红花: 1
- 帖子: 979
- 在线: 263.8小时
- 虫号: 356859
- 注册: 2007-04-26
- 专业: 资源化工
3楼2013-04-28 14:32:13
yswyx
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.1
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
4楼2013-04-29 00:12:15