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maomao_84116

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[求助] 求助：为什么我的半导体Si的电流密度很低

文献上看到别人单独的n-Si电流密度都在10+mA/cm2，为什么我的一直在0.2左右徘徊，伤心啊~~文献说是肖特基势垒影响，查阅后发现要消除肖特基势垒一方面改变背面接触金属，另一方面重掺杂改变表面状态形成欧姆接触；但是接触金属改了后还是不行，重掺杂后Si效率变得很低，请有经验的虫虫提供些建议，谢谢啊

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1楼 2013-04-23 17:03:26

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maomao_84116

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引用回帖:

2楼: Originally posted by yswyx at 2013-04-23 20:49:48
1. 你怎么做的重掺？
2. 重掺后做欧姆接触的电极了吗？
3. 接触金属选的啥？

掺P的片子是别人已经做好的，重掺杂后怎么做欧姆接触的电极？

3楼2013-04-28 14:32:13

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