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关于MS切晶面，吸附问题 已有2人参与
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各位MS前辈： 1 我在切WO3晶体时，是不是那个虚线框框住的层面就是要切的晶面，而不是实线面所在的晶面？ 2.看教程切完后要固定一些原子，但切出来后的原子基本都在一个层面，如何固定？是不是把所要吸附的原子留下其他的固定就行了？所谓的表面弛豫就是对切完的晶面做结构优化？ 3.有时对所切晶面优化出不了结果，应该调那些参数？ 4.吸附二氧化氮分子时，把它复制到晶面上方，怎样转动NO2使它与晶面原子作用。 5.做完吸附模型后，是直接结构优化还是把要吸附的原子之间画一个键然后再优化？ 6.有的文献上在切晶面时，说将原子层设为三层，怎么设，切面不是二维的吗？ 7.文献中经常出现布里渊区，和k点，SCF等术语不知道什么意思？希望前辈可以推荐一些相关书籍。 谢谢您！ |
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