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wyf198166

至尊木虫 (著名写手)

[求助] 赝能隙” 问题求助

‘’‘’‘从DOS图中还可引入“赝能隙”(pseudogap)的概念。也即在费米能级两侧分别有两个尖峰。而两个尖峰之间的DOS并不为零。赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱:越宽,说明共价性越强。如果分析的是局域态密度(LDOS),那么赝能隙反映的则是相邻两个原子成键的强弱:赝能隙越宽,说明两个原子成键越强。’‘’‘

以上是小木虫论坛上一段很常见的话,有人说可从高斯定理推导出该内容,但也有人质疑,想知道上面的内容到底靠谱吗,有文献支持吗,如果谁见过请将文献发我邮箱,非常感谢wyf198166@163.com    ,还有个问题就是 我也看过类似赝能隙的取值,都不是很明确到底取哪一个峰值,如果做的LDOS可能峰值都会比较平缓,这些缓坡算是吗,还是从尖锐的峰值开始算,谁能明确的告诉我 赝能隙”到底是指那一段宽度?
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vasp第一性原理研究方向
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ft1071

新虫 (初入文坛)

2楼2016-05-10 02:49:22
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wyf198166

至尊木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by ft1071 at 2016-05-10 02:49:22
同求!

别求了,我已经自己搞定此事。这个说法确实是存在的,但根本不是这个论坛里说的那么夸张,国外的文献里根本是没有这个内容的。这个说法在黄昆的固体物理里面是有介绍的,但是能系是从实验值里推出来的,没有纯理论公式,而且也不叫赝能隙。能系的宽度是很难确定的,费米能级也不一定就是成键态反键态的分界线,因为成键反键本身就不止是最外层电子才有,内壳层也同样存在,费米能级的一般是价电子的而已。赝能隙实际是用来分析成键极化现象的。内容很多,比较复杂,不在一一介绍了。
vasp第一性原理研究方向
3楼2016-05-10 21:53:02
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