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xiaojie7783

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[交流] 【求助】直接能隙已有6人参与

请教大家。能隙是不是都应该看高对称点上的CBM和VBM之间的差值呢？我算得半导体，导带最低不在高对称点上，而是在高对称点之间的一个横坐标对应的位置，高对称点也是看文献上的取法做的，请问大家，这个时候应该怎么看能隙值呢？是不管他还是直接看高对称点之间的差值，还是读导带最低和价带最高之间的差值就行了呢？谢谢大家

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1楼 2010-07-16 08:16:43

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valenhou001

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zzy870720z(金币+2):谢谢指导 2010-07-16 08:36:05

你遇到的情况是正常，比如简单的金刚石结构的硅，导带底就不是严格的在高对称点。如果你的计算没有什么其他地方的错误的话，那取价带顶和导带底的值就是带隙值。给带隙值时，一般也需指出k点的位置，也就是价带顶和导带底的k点位置。

[ Last edited by valenhou001 on 2010-7-16 at 08:21 ]

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2楼2010-07-16 08:18:46

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xiaojie7783

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引用回帖:

Originally posted by valenhou001 at 2010-07-16 08:18:46:
你遇到的情况是正常，比如简单的金刚石结构的硅，导带底就不是严格的在高对称点。如果你的计算没有什么其他地方的错误的话，那取价带顶和导带底的值就是带隙值。给带隙值时，一般也需指出k点的位置，也就是价带顶 ...

也就是说，我就直接取高对称K点对应的值就可以了，不用管非高对称点对应的值了是吗，不管他导带底部的位置是否比K点对应的低，都不采用他的值了是吗

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成功其实很简单，就是当你坚持不住的时候，再坚持一下！

3楼2010-07-16 08:25:19

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