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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】直接能隙
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xiaojie7783

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】直接能隙 已有6人参与

请教大家。能隙是不是都应该看高对称点上的CBM和VBM之间的差值呢？我算得半导体，导带最低不在高对称点上，而是在高对称点之间的一个横坐标对应的位置，高对称点也是看文献上的取法做的，请问大家，这个时候应该怎么看能隙值呢？是不管他还是直接看高对称点之间的差值，还是读导带最低和价带最高之间的差值就行了呢？谢谢大家
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1楼 2010-07-16 08:16:43
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stractor

金虫 (著名写手)
★
zzy870720z(金币+1):谢谢补充 2010-07-17 18:25:26
前面均正解。有些材料的导带底或者价带顶就是不在高对称点上，而是在高对称点之间的线上，例如储氢材料NaAlH4.能隙就是导带底与价带顶的差值，而不是取某个高对称点的值来减。
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9楼2010-07-17 18:12:30
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
★ ★
zzy870720z(金币+2):谢谢指导 2010-07-16 08:36:05
你遇到的情况是正常，比如简单的金刚石结构的硅，导带底就不是严格的在高对称点。如果你的计算没有什么其他地方的错误的话，那取价带顶和导带底的值就是带隙值。给带隙值时，一般也需指出k点的位置，也就是价带顶和导带底的k点位置。

[ Last edited by valenhou001 on 2010-7-16 at 08:21 ]
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2楼2010-07-16 08:18:46
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xiaojie7783

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-07-16 08:18:46:
你遇到的情况是正常，比如简单的金刚石结构的硅，导带底就不是严格的在高对称点。如果你的计算没有什么其他地方的错误的话，那取价带顶和导带底的值就是带隙值。给带隙值时，一般也需指出k点的位置，也就是价带顶 ...

也就是说，我就直接取高对称K点对应的值就可以了，不用管非高对称点对应的值了是吗，不管他导带底部的位置是否比K点对应的低，都不采用他的值了是吗
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3楼2010-07-16 08:25:19
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congmingbing

木虫 (正式写手)
★ ★
zzy870720z(金币+1):谢谢指导 2010-07-16 11:26:24
gavinliu7390(金币+1):谢谢交流！ 2010-07-17 12:02:23
带隙是指导带底和价带顶的能量差值，你要找到最低导带的最小能量值E1，最高价带的最大能量值E2，Eg＝E1－E2。
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4楼2010-07-16 09:19:17
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