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xiaojie7783

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】直接能隙 已有6人参与

请教大家。能隙是不是都应该看高对称点上的CBM和VBM之间的差值呢?我算得半导体,导带最低不在高对称点上,而是在高对称点之间的一个横坐标对应的位置,高对称点也是看文献上的取法做的,请问大家,这个时候应该怎么看能隙值呢?是不管他还是直接看高对称点之间的差值,还是读导带最低和价带最高之间的差值就行了呢?谢谢大家
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congmingbing

木虫 (正式写手)

★ ★
zzy870720z(金币+1):谢谢指点 2010-07-17 08:46:28
gavinliu7390(金币+1):谢谢交流! 2010-07-17 12:02:39
引用回帖:
Originally posted by xiaojie7783 at 2010-07-17 00:02:14:

哦。好像明白了,但是正如上面老师回复的,文献上通常会提到说能隙是对应的哪个高对称点,那这个时候我应该说是哪个高对称点呢?

能隙对应的点就是能量极值点对应的kpoints,这两个点是同一个k点的话就是直接带隙,反之就是间接带隙,有时候kpoints并不一定是高对称点的,非特殊点也有可能有能量极值出现。
建议看看固体物理相关内容,你就很清楚了。
8楼2010-07-17 08:29:54
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查看全部 10 个回答

valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

★ ★
zzy870720z(金币+2):谢谢指导 2010-07-16 08:36:05
你遇到的情况是正常,比如简单的金刚石结构的硅,导带底就不是严格的在高对称点。如果你的计算没有什么其他地方的错误的话,那取价带顶和导带底的值就是带隙值。给带隙值时,一般也需指出k点的位置,也就是价带顶和导带底的k点位置。

[ Last edited by valenhou001 on 2010-7-16 at 08:21 ]
2楼2010-07-16 08:18:46
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xiaojie7783

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-07-16 08:18:46:
你遇到的情况是正常,比如简单的金刚石结构的硅,导带底就不是严格的在高对称点。如果你的计算没有什么其他地方的错误的话,那取价带顶和导带底的值就是带隙值。给带隙值时,一般也需指出k点的位置,也就是价带顶 ...

也就是说,我就直接取高对称K点对应的值就可以了,不用管非高对称点对应的值了是吗,不管他导带底部的位置是否比K点对应的低,都不采用他的值了是吗
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3楼2010-07-16 08:25:19
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congmingbing

木虫 (正式写手)

★ ★
zzy870720z(金币+1):谢谢指导 2010-07-16 11:26:24
gavinliu7390(金币+1):谢谢交流! 2010-07-17 12:02:23
带隙是指导带底和价带顶的能量差值,你要找到最低导带的最小能量值E1,最高价带的最大能量值E2,Eg=E1-E2。
4楼2010-07-16 09:19:17
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