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superlx铜虫 (小有名气)
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[求助]
掺杂调节禁带宽度是导带与价带位置具体如何变化？
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在掺杂调节半导体的能带的禁带宽度时？比如ZnO进行Mg掺杂时禁带宽度会展宽，但是其导带与价带的具体位置是如何变化的呢? 是随着掺杂物本身的能级结构变化吗？比如ZnO的导带在-4.3eV，价带在-7.7eV，而MgO导带在-0.8eV,价带在-8.5eV,所以掺杂是ZnO 的价带降低向-8.5eV靠近，而导带向-0.8eV靠近，所以ZnO的禁带宽度就展宽了吗？（还是说价带是固定的只是导带向-0.8eV靠拢？自己 猜测貌似不应该这样。） 请问可以这么理解吗？或者有这方面的教材？ 谢谢各位高手！ |
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G_BOY
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