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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » XPS 如何计算价带位置
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northeagle

金虫 (正式写手)

[求助] XPS 如何计算价带位置

看到有用XPS谱图计算半导体价带顶位置的，说是用XPS 0-20eV的谱能得到，具体是如何得到的，有没有哪位用这种方法计算过的，或是知道这种方法的？能不能给详细解说下。非常感谢！
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1楼 2012-07-20 21:40:07
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diamondfire

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
northeagle: 金币+5, ★★★很有帮助, 能不能再详细说下什么位置是VB呢？谢谢 2012-07-24 09:49:10
northeagle: 金币+15, ★★★★★最佳答案, 谢谢啊，这一段时间没有上网，我最近也看了一篇JACS，关于黑色TiO2, 好像方法也是您所说的这样的，我做下XPS试下，有不懂的再请教你哈。 2012-08-28 23:21:21
northeagle: 回帖置顶 2012-08-28 23:21:43
选择wide scan,能量选-5eV-20eV，负值虽然没有意义，但是可以帮助进一步确定背底的强度，用来做水平切线。把待测材料沉积在能级已知的衬底上，通过测定待测材料能带相对衬底的偏移来确定能带对准。
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再烦，也别忘微笑；再急，也要注意语气；再苦，也别忘坚持；再累，也要爱自己。低调做人，你会一次比一次稳健；高调做事，你会一次比一次优秀。
6楼2012-07-24 08:42:31
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ce~yang

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
先确定价带到费米边的位置，加上功函数，就是价带相对于真空能级的位置。
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4楼2012-07-22 19:51:36
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zodiac13

金虫 (小有名气)
用这种方法得到的价带是相对于费米能级的吧，如果还知道相对于真空能级的，还需要知道功函数，而功函数的话要用开尔文探针或者紫外光电子能谱测试了。
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17楼2015-05-22 20:00:00
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普通回帖

tt.yao

荣誉版主 (知名作家)

爱思考的小强

优秀区长优秀版主优秀版主
我也想知道。
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行，成于思，毁于随！
2楼2012-07-22 08:17:19
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zhanglei1224

铁虫 (小有名气)
顶起来，期待高手出现
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3楼2012-07-22 09:28:45
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northeagle

金虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by ce~yang at 2012-07-22 19:51:36
先确定价带到费米边的位置，加上功函数，就是价带相对于真空能级的位置。

你好，能不能说的具体点呢？就是如何利用XPS 0—20eV的这个峰数值来确定价带位置，谢谢。
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把握现在，开创未来
5楼2012-07-23 22:51:32
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diamondfire

木虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by diamondfire at 2012-07-24 08:42:31
选择wide scan,能量选-5eV-20eV，负值虽然没有意义，但是可以帮助进一步确定背底的强度，用来做水平切线。把待测材料沉积在能级已知的衬底上，通过测定待测材料能带相对衬底的偏移来确定能带对准。

这个取决你的待测样品了。拿氧化物来说，一般Vb对应的是化合物中非成键态的氧原子价电子的结合能。
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7楼2012-07-24 12:40:49
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northeagle

金虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by diamondfire at 2012-07-24 08:42:31
选择wide scan,能量选-5eV-20eV，负值虽然没有意义，但是可以帮助进一步确定背底的强度，用来做水平切线。把待测材料沉积在能级已知的衬底上，通过测定待测材料能带相对衬底的偏移来确定能带对准。

您好，前面您说的这个“选择wide scan,能量选-5eV-20eV，负值虽然没有意义，但是可以帮助进一步确定背底的强度，用来做水平切线。”这个我明白了，后面这个“把待测材料沉积在能级已知的衬底上，通过测定待测材料能带相对衬底的偏移来确定能带对准。”是如何做呢，能不能请您说一下呢。比如是不是可以用P25或是Bi2WO6做为衬底？这些材料研究的比较多了VB，CB的也清楚。您的意思是不是说先把衬底压片，然后再把待测材料压到衬底片上，然后测XPS，能量选-5eV-20eV？谢谢！我现在有一个材料，用DFT不会算，想用这个方法算出VB来，麻烦您给详细说下吧。
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把握现在，开创未来
8楼2012-08-28 23:28:03
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diamondfire

木虫 (正式写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by northeagle at 2012-08-28 23:28:03
您好，前面您说的这个“选择wide scan,能量选-5eV-20eV，负值虽然没有意义，但是可以帮助进一步确定背底的强度，用来做水平切线。”这个我明白了，后面这个“把待测材料沉积在能级已知的衬底上，通过测定待测材料能 ...

有一段时间没来了。
你可以用已经熟悉能带结构的材料作衬底。然后把待测材料沉积到衬底片上，注意厚度尽量不要超过6nm，否则你可能要用同步辐射来测了。然后测XPS。
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再烦，也别忘微笑；再急，也要注意语气；再苦，也别忘坚持；再累，也要爱自己。低调做人，你会一次比一次稳健；高调做事，你会一次比一次优秀。
9楼2012-09-07 15:05:23
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northeagle

金虫 (正式写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by diamondfire at 2012-09-07 15:05:23
有一段时间没来了。
你可以用已经熟悉能带结构的材料作衬底。然后把待测材料沉积到衬底片上，注意厚度尽量不要超过6nm，否则你可能要用同步辐射来测了。然后测XPS。...

您好，谢谢了。不过我们是用化学方法合成的纳米材料，用这种沉积方法没有办法实现吧。我做了-5-20eV的XPS能谱，您能不能帮我看一下，切线与X轴交界的位置是不是可以看做VB呢。我看到在Chen xiaobo的那个做黑色TiO2的science里好像就是这么用的。我很想知道如何用XPS价带谱来计算VB位置，麻烦您给分析一下吧。这个是纯纳米材料的XPS谱图，其中有个拖尾。非常感谢！

XPS.jpg
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10楼2012-09-07 20:32:26
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