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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 半导体上金电极的退火
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gaokaoheima

银虫 (小有名气)

[求助] 半导体上金电极的退火 已有2人参与

我在Si薄膜两端镀上了金，形成了金属-半导体-金属结构，但金的厚度只有7、8个纳米，请问各位大侠，怎样的退火条件才能形成较好的电极接触？
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1楼 2015-04-01 18:24:02
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gaokaoheima

银虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by yajing.0816 at 2015-04-02 10:57:40
快速退火炉退火 300度左右吧

请问时间多长呢？
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4楼2015-04-13 20:32:55
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szzpanda

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
要形成欧姆接触的话的退火的准确条件需要自己来摸索，因为你生长条件的不同，可能退火条件会有差异，从论文里查到的不一定合适。
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2楼2015-04-01 21:17:40
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yajing.0816

铁杆木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
gaokaoheima: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-04-13 20:32:31
快速退火炉退火 300度左右吧
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3楼2015-04-02 10:57:40
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yajing.0816

铁杆木虫 (小有名气)
但是需要用快速退火炉，采用钨灯辐照加热的那种。。
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6楼2015-04-15 08:46:11
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