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husthuangbin

金虫 (小有名气)

[交流] 半导体电性能测试，Si片背面电极制备 已有4人参与

大家好，目前我在做MOS的电性能测试（CV、IV），但是实验室的探针台只能在正面扎针，请问怎样才能将Si片背面的电极引出来呢？
此外我试过用HF酸去除部分硅片表面的绝缘层，制作了如下的表面电极结构，但是测试之后得到的CV曲线与使用的Si片趋势刚好相反，我使用的基底是P型硅，得到的却是N型硅的CV曲线，请问这会不会可能是HF酸没有腐蚀干净呢？

图片1.png



CV-test-HF-750um-different frequency.jpg
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1楼 2012-11-18 15:05:34
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★
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就一个问题，你的Si和Au这个界面，做了欧姆接触了吗？
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2楼2012-11-19 11:34:20
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husthuangbin

金虫 (小有名气)
大侠，我是直接用掩膜版溅射镀金的，不知道这个会不会对测试产生很大的影响？
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3楼2012-11-19 11:38:39
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husthuangbin

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-19 11:34:20
就一个问题，你的Si和Au这个界面，做了欧姆接触了吗？

大侠，我是直接用掩膜版溅射镀金的，不知道这个会不会对测试产生很大的影响？
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4楼2012-11-19 11:38:56
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★ ★
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yanhualover: 金币+1, 谢谢参与，期待更精彩。 2012-12-02 23:52:12
也就是说，Au和硅之间没有欧姆接触。也就是说，那个界面形成了一个肖特基管子。
你自己画个等效算算看，看是不是这样。这两天比较慢，没功夫演算，sorry。
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5楼2012-11-19 17:29:23
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husthuangbin

金虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-19 17:29:23
也就是说，Au和硅之间没有欧姆接触。也就是说，那个界面形成了一个肖特基管子。
你自己画个等效算算看，看是不是这样。这两天比较慢，没功夫演算，sorry。

好像是的，Al2O3那一端是氧化铝电容与SiO2电容串联，如果金电极那一端也相当于电容的话确实会这样子；退火能够消除这个影响吗？
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6楼2012-11-20 08:20:35
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
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yanhualover: 金币+1, 谢谢参与，期待更精彩。 2012-12-02 23:52:31
引用回帖:
6楼: Originally posted by husthuangbin at 2012-11-20 08:20:35
好像是的，Al2O3那一端是氧化铝电容与SiO2电容串联，如果金电极那一端也相当于电容的话确实会这样子；退火能够消除这个影响吗？...

理论上退火是可以的，但是实际上Au的欧姆接触很不好控制，因为半导体工艺中极少用Au，Au是重金属杂质。
我的意见是，重新做。用双抛的片子，在硅片的背面做欧姆接触，做金属电极，然后再在正面PECVD钝化层，再做你的Al2O3，再做电极。这种做过欧姆接触的片子我这儿也许能找到现成的，需要的话可以联系我，我翻翻看。
或者是，直接把Au电极扒掉，直接扎在Si上试试。如果你是高掺杂的硅的话，可能还不会有事。
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7楼2012-11-20 08:49:11
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lvyiyilv

木虫 (职业作家)
★ ★
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yanhualover: 金币+1, 谢谢参与，期待更精彩。 2012-12-02 23:52:47
电极用TI/AU
接背gate一般就是接法
不过我都是光刻做窗口，干法刻蚀，再做Ti/Au

实在不行，背部用银胶连出来再接线
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8楼2012-12-02 19:02:20
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王致远

金虫 (著名写手)
★
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电极 TI/Au 可以具体点不？
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9楼2013-01-16 11:44:51
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西苑森林

新虫 (初入文坛)
★
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探针台chuck是可以升级直接做背电极使用的，您用的哪个公司的探针台？
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10楼2019-04-25 08:54:59
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