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husthuangbin

金虫 (小有名气)

[交流] 半导体电性能测试,Si片背面电极制备 已有4人参与

大家好,目前我在做MOS的电性能测试(CV、IV),但是实验室的探针台只能在正面扎针,请问怎样才能将Si片背面的电极引出来呢?
此外我试过用HF酸去除部分硅片表面的绝缘层,制作了如下的表面电极结构,但是测试之后得到的CV曲线与使用的Si片趋势刚好相反,我使用的基底是P型硅,得到的却是N型硅的CV曲线,请问这会不会可能是HF酸没有腐蚀干净呢?

图片1.png



CV-test-HF-750um-different frequency.jpg
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husthuangbin

金虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-19 17:29:23
也就是说,Au和硅之间没有欧姆接触。也就是说,那个界面形成了一个肖特基管子。
你自己画个等效算算看,看是不是这样。这两天比较慢,没功夫演算,sorry。

好像是的,Al2O3那一端是氧化铝电容与SiO2电容串联,如果金电极那一端也相当于电容的话确实会这样子;退火能够消除这个影响吗?
6楼2012-11-20 08:20:35
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
就一个问题,你的Si和Au这个界面,做了欧姆接触了吗?
2楼2012-11-19 11:34:20
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husthuangbin

金虫 (小有名气)

大侠,我是直接用掩膜版溅射镀金的,不知道这个会不会对测试产生很大的影响?
3楼2012-11-19 11:38:39
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husthuangbin

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-11-19 11:34:20
就一个问题,你的Si和Au这个界面,做了欧姆接触了吗?

大侠,我是直接用掩膜版溅射镀金的,不知道这个会不会对测试产生很大的影响?
4楼2012-11-19 11:38:56
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