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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » NR26-25000P负胶光刻显影不彻底，大深宽比显影后脱落基底
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卤石

新虫 (初入文坛)

[求助] NR26-25000P负胶光刻显影不彻底，大深宽比显影后脱落基底 已有7人参与

我使用的是NR26-2500P负胶，匀胶：转速3000rmp，40s；胶厚大约21-27um；前烘：均匀升温150度，保温7分钟，然后均匀冷却至室温；曝光时间：200s；后烘：均匀加热至90度，保温5分钟，然后均匀冷却至室温；显影：7-10分钟；图案是3um光栅，光栅间距5um，显影未完成图案就有脱落，光栅尺寸10um以上，边角有毛刺；请教对NR26-2500P负胶有经验的人解答相关参数？

NR26-25000P负胶光刻显影不彻底，大深宽比显影后脱落基底
1-150s-1.jpg


NR26-25000P负胶光刻显影不彻底，大深宽比显影后脱落基底-1
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1楼 2015-03-11 10:49:12
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
看不明白你的图。
就问一句，厚胶边去了没有？
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6楼2015-03-13 16:14:44
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yuanxin5254

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
这个是不是说明粘附性不好，你先检查下晶片上有没有杂质颗粒什么的，然后你试试后烘温度加大一点，还有你后烘后到冷却到室温这个过程在哪里进行的，不行直接在环境下进行。
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我们坚持做一件事情，并不是这样做了有效果，而是坚信，这样做了是对的。
2楼2015-03-11 10:57:47
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卤石

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yuanxin5254 at 2015-03-11 10:57:47
这个是不是说明粘附性不好，你先检查下晶片上有没有杂质颗粒什么的，然后你试试后烘温度加大一点，还有你后烘后到冷却到室温这个过程在哪里进行的，不行直接在环境下进行。

我用的就是普通热板，在净化间光刻实验室里做的，后烘温度是根据胶的说明书来的，你用过这种胶吗？我在对这种胶的参数还把握不准，上面有一张光栅图，是显影过程中张开了，是一个缝隙，有的显影掉了，有的没有，然后内应力就把他张开了，我发现我现在显影不均匀，有的显了有的没显，是不是跟涂胶不均匀有关系
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3楼2015-03-11 14:58:31
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yuanxin5254

金虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 卤石 at 2015-03-11 14:58:31
我用的就是普通热板，在净化间光刻实验室里做的，后烘温度是根据胶的说明书来的，你用过这种胶吗？我在对这种胶的参数还把握不准，上面有一张光栅图，是显影过程中张开了，是一个缝隙，有的显影掉了，有的没有，然 ...

说明书只能用来参考。    有可能胶涂的不均匀，显影掉的地方说明胶薄，没显影掉的地方说明胶厚。还有可能就是胶受到污染，你检查一下。 一般跟显影液没啥关系。
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我们坚持做一件事情，并不是这样做了有效果，而是坚信，这样做了是对的。
4楼2015-03-11 16:06:20
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