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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料化学 » EDS测试加速电压的选择
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吴保明

银虫 (小有名气)

[求助] EDS测试加速电压的选择 已有2人参与

EDS能谱测试时，加速电压与测试的元素含量有关系么，EDS有没有测试深度的概念？加速电压与测试深度有关系么，还是说只能测试表面元素含量？
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1楼 2015-02-10 11:59:26
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godsdream09

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
吴保明: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-02-12 23:37:07
没错，加速电压与原子序数，探测深度都有关，场发射电镜电压越高，探测越深。同时原子序数越大，探测越浅。由于eds是高能向低能越迁时发出的特征x射线，故入射电子能量必须大于该元素的能级差。
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心若在，梦若在。
2楼2015-02-11 20:59:32
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598878157

版主 (文学泰斗)

rky

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
吴保明: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-02-12 23:37:27
加速电压越大，初级电子能量就越高，穿透深度也就越深，相应的其它信号的产额yield也就越大，一般20kV的加速电压，1.4nA的电子束流会作用1微米左右的作用区间，这都是以Si材料为基础来比较的，根据原子序数的不同，晶体结构的差异等也会有差别。具体情况还得依实际结果而定。祝好！
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3楼2015-02-12 17:22:18
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