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SU8-2000.5电子束曝光边缘粗糙，结构之间有交联 已有3人参与
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实验室购买的是MicroChem公司SU8-2002光刻胶，用该公司提供的稀释剂将光刻胶稀释一倍，浓度与SU8-2000.5一致。 电子束曝光条件：电压50kV，电流30pA Written field 300um/10000dot 转速4000r 60s 前烘 65度1min，95度1min 显影前 65度1min，95度1min 显影60s，IPA清洗30s 具体曝光效果如下图所示。 曝光图形周期600nm, 柱子直径300nm-450nm。 请问图形边缘参差不齐、还有就是柱子之间交联的原因是什么呢？改进工艺条件应该从何处着手？  1,8.Y160kX50.0kV.jpg  2,7.Y160kX50.0kV.jpg  3.Y160kX50.0kV.jpg |
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