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没理想的香蕉

新虫 (初入文坛)

[求助] PECVD生长SiO2薄膜出现褶皱 已有2人参与

用PECVD生长0.5um的SiO2薄膜,从炉子里面拿出来不久就出现这种褶皱,求助大神们知道是什么原因吗?
基底是n型高掺杂Si(500um)+Au(200nm),尺寸1.5*1.5cm

PECVD生长SiO2薄膜出现褶皱
IMG_2612.JPG
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caoxiafei

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【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
Au(200nm)层有应力,退火消除后,做PECVD
4楼2015-01-22 08:57:09
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
起皮了 这是膜层脱落了吧
2楼2015-01-21 16:03:12
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没理想的香蕉

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by ddx-k at 2015-01-21 16:03:12
起皮了 这是膜层脱落了吧

应该是脱落了,我想问一下是什么原因造成脱落的。因为昨天长了3批,第1批和第3批长的都没有问题,第二批长的就起皮了。
3楼2015-01-21 16:25:36
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没理想的香蕉

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by caoxiafei at 2015-01-22 08:57:09
Au(200nm)层有应力,退火消除后,做PECVD

具体的应该怎么做呢?谢谢啦
5楼2015-01-22 09:34:25
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

引用回帖:
5楼: Originally posted by 没理想的香蕉 at 2015-01-22 09:34:25
具体的应该怎么做呢?谢谢啦...

硅片镀Au后,退火处理5-10min,不低于PECVD的温度,再去做PECVD
6楼2015-01-22 09:43:49
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
没理想的香蕉: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-01-22 16:59:14
或者是其他结构,Si\Ti\Au和Si\Ag\Au结构等
7楼2015-01-22 09:45:52
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没理想的香蕉

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by caoxiafei at 2015-01-22 09:43:49
硅片镀Au后,退火处理5-10min,不低于PECVD的温度,再去做PECVD...

非常感谢
8楼2015-01-22 09:59:08
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没理想的香蕉

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by caoxiafei at 2015-01-22 09:43:49
硅片镀Au后,退火处理5-10min,不低于PECVD的温度,再去做PECVD...

请问是镀Au后马上退火呢,还是说生长PECVD之前去退火就可?谢谢啦
9楼2015-01-22 15:33:36
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caoxiafei

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研发工程师-Topcon/HJT电池

引用回帖:
9楼: Originally posted by 没理想的香蕉 at 2015-01-22 15:33:36
请问是镀Au后马上退火呢,还是说生长PECVD之前去退火就可?谢谢啦...

都可以吧
10楼2015-01-22 16:44:26
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