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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 材料测试 » PECVD生长SiO2薄膜出现褶皱
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没理想的香蕉

新虫 (初入文坛)

[求助] PECVD生长SiO2薄膜出现褶皱 已有2人参与

用PECVD生长0.5um的SiO2薄膜，从炉子里面拿出来不久就出现这种褶皱，求助大神们知道是什么原因吗？
基底是n型高掺杂Si(500um)+Au(200nm)，尺寸1.5*1.5cm

PECVD生长SiO2薄膜出现褶皱
IMG_2612.JPG
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1楼 2015-01-21 14:44:39
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
Au(200nm)层有应力，退火消除后，做PECVD
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4楼2015-01-22 08:57:09
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
起皮了 这是膜层脱落了吧
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2楼2015-01-21 16:03:12
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没理想的香蕉

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by ddx-k at 2015-01-21 16:03:12
起皮了 这是膜层脱落了吧

应该是脱落了，我想问一下是什么原因造成脱落的。因为昨天长了3批，第1批和第3批长的都没有问题，第二批长的就起皮了。
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3楼2015-01-21 16:25:36
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没理想的香蕉

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by caoxiafei at 2015-01-22 08:57:09
Au(200nm)层有应力，退火消除后，做PECVD

具体的应该怎么做呢？谢谢啦
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5楼2015-01-22 09:34:25
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池
引用回帖:
5楼: Originally posted by 没理想的香蕉 at 2015-01-22 09:34:25
具体的应该怎么做呢？谢谢啦...

硅片镀Au后，退火处理5-10min，不低于PECVD的温度，再去做PECVD
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6楼2015-01-22 09:43:49
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
没理想的香蕉: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-01-22 16:59:14
或者是其他结构，Si\Ti\Au和Si\Ag\Au结构等
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7楼2015-01-22 09:45:52
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没理想的香蕉

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by caoxiafei at 2015-01-22 09:43:49
硅片镀Au后，退火处理5-10min，不低于PECVD的温度，再去做PECVD...

非常感谢
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8楼2015-01-22 09:59:08
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没理想的香蕉

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by caoxiafei at 2015-01-22 09:43:49
硅片镀Au后，退火处理5-10min，不低于PECVD的温度，再去做PECVD...

请问是镀Au后马上退火呢，还是说生长PECVD之前去退火就可？谢谢啦
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9楼2015-01-22 15:33:36
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池
引用回帖:
9楼: Originally posted by 没理想的香蕉 at 2015-01-22 15:33:36
请问是镀Au后马上退火呢，还是说生长PECVD之前去退火就可？谢谢啦...

都可以吧
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10楼2015-01-22 16:44:26
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