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yc8662

新虫 (小有名气)

[交流] 四点法测出来的薄膜电阻包含衬底的信息吗? 已有3人参与

一直以来有一个问题,同样成分的薄膜,长在导电衬底上和绝缘沉底上用四点法测出来的体电阻值为何不一样?
四点法测薄膜体电阻,电流走向是什么样的? 是仅仅会流过薄膜表层的一部分,还是整个样品都会流过?
如果衬底导电比较好的话,电流会不会通过衬底? 如果会流过衬底的话,那用测出来的电阻值去计算电阻率的话,薄膜的厚度是不是应该加上衬底的厚度?

比如说生长在SrRuO3上的CoFe2O4, 薄膜厚度100nm,衬底厚度0.5mm, 测出来四点法电阻值为300Ohm,计算电阻率时用公式R=ρ*L/S,此时的L是不是应该为0.5mm而不是100nm?
或者说我需要考虑两部分电阻,R=ρ1*L1/S1+ρ2*L2/S2。1和2分别代表薄膜和衬底,根据衬底的电阻率,计算出衬底电阻,从R中扣除掉,再得到薄膜的电阻率ρ1.


谢谢指教!
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
4楼: Originally posted by yc8662 at 2015-01-20 19:47:13
那请问一下,衬底导电性比较好的时候,应该用什么方法测试薄膜电阻?...

在衬底背面镀电极,薄膜正面蒸镀电极,已知电极面积和厚度,使用I-V曲线测试电阻,扣除基底电阻和接触电阻,就OK了
5楼2015-01-20 20:31:01
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Salucard77

铜虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
当然有影响,你想的是对的。
但是简单的把膜厚求和也不见得对,除非两种材料导电性相当或衬底占优,且不形成diode,也就是理想的串联。
所以一般都是用导电不佳或者绝缘的衬底(Si wafer或玻璃等)。
百度下四探针仔细看看,其实就是欧姆定律。
2楼2015-01-20 10:35:50
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
当衬底导电性较好时,就不能使用4探针法测试薄膜电阻了,4探针测试薄膜只适合绝缘衬底的样品;
3楼2015-01-20 15:25:48
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yc8662

新虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by caoxiafei at 2015-01-20 15:25:48
当衬底导电性较好时,就不能使用4探针法测试薄膜电阻了,4探针测试薄膜只适合绝缘衬底的样品;

那请问一下,衬底导电性比较好的时候,应该用什么方法测试薄膜电阻?
4楼2015-01-20 19:47:13
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