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PR1-12000A光刻胶在Cu上显影不干净已有2人参与
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硅片上依次溅射Ti/Cu后，使用PR1-12000A光刻胶匀胶（参数：1000rpm-10s/2500rpm-40s），烘烤参数（120℃-180s），MA6光刻机接触式曝光280s/310s/340s/370s，显影240s-330s不等，均显影不干净。不过用同样的匀胶和烘烤参数直接在Si片上做，曝光220s/240s/260s/280s都可以显影干净，只是显影时间又差别。特别困惑，求高手不吝指教~~ |
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