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guaiguaizhxd木虫 (小有名气)
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[求助]
GaN差分电荷分析求助
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做了一个单原子H吸附在2x2GaN表面的计算。为了分析电荷转移机理和粗略的分析成键类型，做了差分电荷密度。利用AB-A-B的电荷公式用vesta作图。其中A代表只有H原子的电荷密度，B代表没有H吸附下GaN的电荷密度。图中黄色部分代表得到电子，蓝色部分代表失去电子。 现在问题来了： 1.这个电荷转移情况具体怎么分析呢？是指H和Ga成键时，H得到了Ga的悬挂键上的电子么，或者更详细的分析呢（比如那个蓝色的类似三角形的电荷云的分析）？ 2.只有最上面的两个双层可以弛豫（图上也有标注），为什么只吸附一个氢原子，却会对未弛豫的部分造成影响，怎么解释呢（如图中红色圆圈标出来的地方） 多谢各位！！  绘图1.jpg  CHGCAR2.jpg |
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