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lzn_t木虫 (小有名气)
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GGA+U计算讨论 已有5人参与
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最近使用Castep计算了CdTe半导体，使用含有32个原子的超晶胞。对体系结构优化成功后，先使用GGA(PBE)进行计算，得到带隙宽度为0.579eV。再使用GGA+U计算，得到带隙宽度为0.592eV。 计算的参数设置满足收敛性测试，在+U计算时，对Cd原子d电子加U=2.0eV(默认值)，其他电子不加U。 那么，问题是：1. CdTe的带隙宽度实验值为1.61eV，而这里的计算值远小于实验值，是否是因为计算设置上有不合理之处？ 2. CdTe中的Cd原子属于过渡族金属，其电子结构为3s2 sp6 3d10 4p6 4d10 5s2，Te的电子结构3s2 sp6 3d10 4p6 4d10 5s2 5p4，+U计算时，体系默认只对Cd原子的d电子+U，其他电子及Te原子的电子不+U。这样是否合理？ |
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这个怎么解释？ 你是想表达只是因为CdTe是d10, 加U无法概述gap 还是说d10的都不能改善gap。 对于CdTe，我没有算过，不要验证你的回答。 但是如果你是说的第二种意思，我个人是不认同的。U毕竟是描述d电子之间的库伦作用的，但是并没有禁止说d10 +U就没有什么作用了。 On-site correlation of p-electron in d10 semiconductor zinc oxide http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/qua.24593/abstract 我在网上也顺便找了一篇最近的文章，好像是天津理工的。这里面就对d10的半导体d，p同时加U了。 我没有仔细看，只是扫视了下文章，我觉得这个文章就是利用LDA+U来修饰能带的。 有不当之处，请斧正！ Fang |
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