| 查看: 5398 | 回复: 18 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
lzn_t木虫 (小有名气)
|
[求助]
GGA+U计算讨论 已有5人参与
|
||
|
最近使用Castep计算了CdTe半导体，使用含有32个原子的超晶胞。对体系结构优化成功后，先使用GGA(PBE)进行计算，得到带隙宽度为0.579eV。再使用GGA+U计算，得到带隙宽度为0.592eV。 计算的参数设置满足收敛性测试，在+U计算时，对Cd原子d电子加U=2.0eV(默认值)，其他电子不加U。 那么，问题是：1. CdTe的带隙宽度实验值为1.61eV，而这里的计算值远小于实验值，是否是因为计算设置上有不合理之处？ 2. CdTe中的Cd原子属于过渡族金属，其电子结构为3s2 sp6 3d10 4p6 4d10 5s2，Te的电子结构3s2 sp6 3d10 4p6 4d10 5s2 5p4，+U计算时，体系默认只对Cd原子的d电子+U，其他电子及Te原子的电子不+U。这样是否合理？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 第一性原理相关文档 |
» 猜你喜欢
293求调剂
已经有4人回复
-
278求调剂
已经有3人回复
-
301求调剂
已经有3人回复
-
275求调剂
已经有3人回复
-
一志愿，福州大学材料专硕339分求调剂
已经有3人回复
-
本人考085602 化学工程 专硕
已经有15人回复
-
283求调剂
已经有3人回复
-
274求调剂
已经有5人回复
-
302求调剂
已经有6人回复
-
11408 一志愿西电，277分求调剂
已经有3人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 关于用vasp计算铜锌锡硫或铜锌锡硒的能带结构和态密度
已经有3人回复
- 救命啊！VASP计算磁性出错
已经有14人回复
- CASTEP计算半导体能带
已经有4人回复
- CASTEP模块中，LDA+U和GGA+U有没有本质区别？ 为什么要加U呢？
已经有15人回复
- VASP计算TiO2能带竟然没有带隙
已经有3人回复
- BiFeO3的band gap問題 (GGA+U)(U=7 J=1)
已经有7人回复
- CASTEP怎么对单独的过渡金属元素设置U值，在哪里设？
已经有8人回复
- vasp计算光学性质步骤及INCAR中需要那些参数
已经有9人回复
- 理论计算与实验值比较
已经有3人回复
- castep计算磁矩的问题
已经有6人回复
- castep计算半导体的时候，勾选 fix occupancy吗
已经有7人回复
- LDA+U,为什么要加U，作用是什么？
已经有20人回复
- 求各种金属氧化物的带隙数据
已经有12人回复
- VASP中如何使用GGA+U
已经有10人回复
- 计算光学性质的剪刀差如何确定？
已经有3人回复
- GGA+U是什么近似
已经有6人回复
- LDA+U到底能够对能带的计算有多大的改善呢
已经有22人回复
- 在MS5.0中的CASTEP中GGA＋U计算性质是怎么算的呀？
已经有12人回复
- 【求助】vasp计算体系光学性质
已经有14人回复
- 【讨论】abint计算ZnO带隙差的太大
已经有26人回复
- 【文献学习】JACS上一篇纯DFT计算的文献： CI-NEB计算，Leuwdin布局分析，态密度分析
已经有30人回复
- 【求助】LDA + U 方法是什么意思
已经有25人回复
- 【求助】U值的确定
已经有14人回复
- 【求助】VASP进行DFT+HF计算的问题？
已经有7人回复
9楼2014-11-05 14:09:02
卡开发发
专家顾问 (著名写手)
Ab Initio Amateur
-
专家经验: +224 - 1ST强帖: 2
- 应助: 47 (小学生)
- 金币: 3508.8
- 散金: 14
- 红花: 223
- 帖子: 2477
- 在线: 1254小时
- 虫号: 1369423
- 注册: 2011-08-16
- 性别: GG
- 专业: 金属材料的磨损与磨蚀
- 管辖: 第一性原理
2楼2014-11-03 13:14:52
fyuewen
金虫 (正式写手)
- 应助: 30 (小学生)
- 金币: 1620.4
- 散金: 151
- 红花: 10
- 帖子: 480
- 在线: 125.2小时
- 虫号: 1506790
- 注册: 2011-11-23
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2014-11-03 15:08:41
4楼2014-11-03 19:35:57
